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锥顶碳纳米管的结构稳定性与场致发射性能 被引量：2
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作者 王益军 王六定 +4 位作者 杨敏 严诚 王小冬 席彩萍 李昭宁 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第7期663-668,共6页
运用密度泛函理论研究了锥顶碳纳米管的结构稳定性与电子场致发射性能.结果表明:在外电场作用下,该体系的结构稳定性明显优于碳纳米锥体、C30半球封口的碳纳米管,且电子发射性能与锥角大小、锥顶构型密切相关,特别是锥角38.9°及棱... 运用密度泛函理论研究了锥顶碳纳米管的结构稳定性与电子场致发射性能.结果表明:在外电场作用下,该体系的结构稳定性明显优于碳纳米锥体、C30半球封口的碳纳米管,且电子发射性能与锥角大小、锥顶构型密切相关,特别是锥角38.9°及棱脊型顶部的cone1@(6,6)综合性能最优,用其作为场致发射源的阴极时可显著提高发射电流密度并延长器件的使用寿命. 展开更多
关键词 锥顶碳纳米管 电子场致发射 结构稳定性 密度泛函理论
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