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PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究
被引量:
9
1
作者
郑可炉
褚家如
+1 位作者
鲁健
李恒
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第2期209-212,共4页
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小...
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小(1.5∶1),侧面倾角约60°。刻蚀液对光刻胶和PZT薄膜底电极Pt的选择性好,该工艺适用于MEMS领域中PZT薄膜的微图形化。
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关键词
锫钛酸铅pzt薄膜
湿法刻蚀
微图形化
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职称材料
题名
PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究
被引量:
9
1
作者
郑可炉
褚家如
鲁健
李恒
机构
中国科学技术大学精密机械与精密仪器系
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第2期209-212,共4页
基金
教育部博士点基金(20030358018)
优秀青年教师资助计划项目
文摘
介绍了一种刻蚀效果良好的PZT薄膜的湿法刻蚀方法。在分析了刻蚀液成分对刻蚀效果影响的基础上,选择体积比为1∶2∶4∶4的BHF/HCl/NH4Cl/H2O溶液作为刻蚀液,刻蚀速率为0.016μm/s。实验表明,刻蚀得到的PZT薄膜图形表面无残留物,侧蚀比小(1.5∶1),侧面倾角约60°。刻蚀液对光刻胶和PZT薄膜底电极Pt的选择性好,该工艺适用于MEMS领域中PZT薄膜的微图形化。
关键词
锫钛酸铅pzt薄膜
湿法刻蚀
微图形化
Keywords
pzt
pzt
thin film
wet-etch
pattern
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PZT铁电薄膜湿法刻蚀技术研究
郑可炉
褚家如
鲁健
李恒
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005
9
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