基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术研究

研究了基于Al_2O_3中间层的InP/SOI晶片键合技术。该方案利用原子层沉积技术在SOI晶片表面形成Al_2O_3作为InP/SOI键合中间层,同时采用氧等离子体工艺对晶片表面进行活化处理。原子力显微镜和接触角测试结果表明,氧等离子体处理使得晶片的表面特性更适于实现键合。透射电子显微镜和X射线能谱仪测试结果证实,采用Al_2O_3中间层可以实现InP晶片与SOI晶片的可靠键合。