晶圆混合键合工艺优化研究

随着集成电路制造工艺技术的发展和不断进步,一种永久性晶圆键合技术可以在不需要光刻尺寸的进一步缩小而增加IC制造的复杂性的情况下使芯片平面尺寸大幅减小,今天已成为热门的研究方向。而且该晶圆键合工艺可以将图像传感器感光芯片与专用集成电路芯片连接起来,大幅降低信号衰减,从而提升产品性能。但是,在晶圆键合过程中,通常会发生键合空洞的现象而导致键合不良,如何改善键合空洞问题,成为影响芯片性能和成本最主要的因素。本文针对键合空洞问题,通过优化晶圆平坦化工艺,调整了金属键合垫和晶圆氧化层水平面的相对高度,改善了晶圆键合空洞的问题。