使用晶圆级键合技术制备金属微结构

使用金属材料的晶圆级键合技术可以制备半封闭结构的金属矩形微同轴线。基于柔性金属衬底的晶圆级键合技术,制备了金属矩形微同轴结构。通过选择合适的对准标记和键合工艺,实现了≤10 μm的对准误差。通过多个金属矩形微同轴线的微组装,初步展示了使用单层金属矩形微同轴线构建射频开关矩阵单元的能力。

聚合物微流控芯片的键合技术与方法

在微流控芯片的制作中,键合是关键技术之一,基片与盖片只有通过键合才能形成封闭的微通道,因此键合质量直接影响芯片的制作质量。对键合方法进行了分类,综述了目前已有的芯片键合技术及方法,分析了各种键合方法在制作质量、制作效率以及是否适用于批量化制作等方面的局限性,详细介绍了具有效率高、适合批量化生产等优点的超声波键合技术的研究进展。

用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术

对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术 ,整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术 ,以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述 ,强调在器件研究开始时应考虑封装问题 ,具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定。

晶圆键合技术与微电子机械系统新进展

概述了晶圆键合技术穴WB雪和微电子机械系统穴MEMS雪的新进展。介绍了晶圆键合工艺、技术要求、应用选择以及对MEMS的作用;展示了MEMS制造技术和应用前景。

基于键合技术的新型集成光学干涉仪

提出了一种基于超薄薄膜光电二极管 (PD)构成的新型集成光学干涉仪构造方案 ,基于键合技术 ,论证了超薄薄膜光电二极管阵列集成化构成集成光学干涉仪的可能性。着重描述了集成光学干涉仪构造关键部件———超薄薄膜光电二极管的设计、制造及其特性。所构成的集成光学干涉仪经实验得到初步验证 ,结果表明 。

原子力显微镜微探针制造及阳极键合技术

首先简介原子力显微镜（ＡＦＭ）的特点，然后叙述阳极键合技术的原理，以及此技术在微探针制造中的应用。

用于MEMS器件芯片级封装的金-硅键合技术研究

MEMS器件大都含有可动的硅结构 ,在器件加工过程中 ,特别是在封装过程中极易受损 ,大大影响器件的成品率。如果能在MEMS器件可动结构完成以后 ,加上一层封盖保护 ,可以显著提高器件的成品率和可靠性。本文提出了一种用于MEMS芯片封盖保护的金 硅键合新结构 ,实验证明此方法简单实用 ,效果良好。该技术与器件制造工艺兼容 ,键合温度低 ,有足够的键合强度 ,不损坏器件结构 ,实现了MEMS器件的芯片级封装。

功率器件封装工艺中的铝条带键合技术

文章回顾了功率器件封装工艺中几种常见的互连方式,主要介绍了铝条带键合技术在功率器件封装工艺中的主要优点,特别是它应用在小封装尺寸的功率器件中。铝条带的几何形状在一定程度上降低了它在水平方向的灵活性,但却增加了它在垂直方向上的灵活性。铝条带垂直方向的灵活性可以让我们使用最少的铝条带条数来达到功率器件键合的要求。也由于几何形状的不同,铝条带键合具有一些不同于铝线键合的特点,但它对粘片工艺、引线框架和包封工艺的要求与粗铝线键合极其相似,可以与现有的粗铝线键合工艺相兼容,不需要工艺和封装形式的重新设计。

Micro-LED背板键合技术

针对Micro-LED与背板的键合技术,分析和总结了现有用于集成电路及MEMS器件中导电键合技术,并结合Micro-LED特点,对Micro-LED键合技术进行了分析和总结,针对高分辨率微显示的Micro-LED外延片键合技术,可以采用集成电路及MEMS器件中直接键合、表面活化键合、黏着键合、共晶键合、纳米键合、激光和超声辅助键合等常用键合技术,而对于巨量转移实现Micro-LED显示技术,更适宜采用黏着键合、共晶键合、金属微纳结构键合和激光辅助键合。共晶键合技术应用广泛,具有从材料到设备以及工艺等方面成熟的解决方案,是现有键合方案中最具前景的一种。

硅片直接键合技术的研究

对硅片直接键合技术作了详细的研究；探明了合适的工艺条件，其结果键合的样品界面致密，成品率较高。

倒装芯片键合技术发展现状与展望

我国集成电路发展十二五规划中提到,大力发展先进封装和测试技术,推进高密度堆叠型三维封装产品的进程,支持封装工艺技术升级和产能扩充。阐述了先进封装技术中的倒装芯片键合工艺现状及发展趋势,以及国际主流倒装设备发展及国内应用现状,重点介绍了北京中电科装备有限公司的倒装机产品。国产电子装备厂商应认清回流焊倒装芯片键合设备市场发展,缩短倒装设备产品开发周期和推向市场的时间,奠定国产电子先进封装设备产业化基础;同时抓紧研发细间距铜柱凸点倒装和热压焊接技术,迎接热压倒装芯片工艺及其设备的挑战。

EV集团凭借突破性的晶圆键合技术加速3D-IC封装路线图

面向MEMS、纳米技术和半导体市场的晶圆键合与光刻设备的领先供应商EV集团（EVG）于日前推出全新的Smart View~？ NT3对准系统。该对准系统适用于本公司专为大批量制造（HVM）应用打造的行业基准GEMINI~？ FB XT集成式熔融键合系统。

铜线键合技术及设备的研究与应用分析

引线键合技术在微电子封装当中起着极其重要的作用,在常规的封装工艺当中,键合引线大多使用的都是金线。主要因为金线具有极高的导电性、延展性与稳定性。但由于金价不断上涨,使得铜线在封装工艺当中的使用越来越广泛,本文对铜线键合技术及设备的研究与应用展开了分析,基于相关的实验数据与理论,探讨了铜线设备的升级和验收和铜线工艺的失效模式。旨在对推进电子行业的整体发展起到帮助的作用。

硅—硅直接键合技术的研究

自五十年代第一只硅功率可控硅整流器问市以来,功率器件不断得到发展,它的应用不仅迅速扩大到工业装备中,而且已渗透到人们的日常生活中去.随着应用范围的扩大,对功率器件的性能要求也愈来愈高,应运而生的出现了许多新型结构的器件,随器件结构的发展对制造器件的材料提出了新的要求.如硅的功率器件广泛应用于高压直流输电系统中,这要求提高器件的最高工作电压和最大电流控制容量,而这受到获得高质量硅片的限制.

台湾小太阳能源研发出独特散热技术“铜铝键合技术”

近日，台湾小太阳国际能源公司（以下简称“小太阳公司”）推出增强型高电流密度PowerBridgeTM整流器的新系列，这些器件的额定电流为10A至25A，最大额定峰值反向电压为600V至1000V。

MEMS器件低成本圆片级低温键合技术的研究进展

MEMS／NEMS较为成熟的封装工艺一键合工艺，多数是在高温条件下进行，但是高温会对MEMS传感器产生不良影响，造成器件不稳定甚至失效。因此，急需开发适用于MEMS传感器的低温键合工艺。尤其是近几年，随着生化传感器和射频器件的快速发展，对低温键合封装的需求日益增强。

GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术

利用晶片键合技术通过多层金属膜成功地把立方相GaN LED结构键合到新衬底Si上,并且利用湿法腐蚀技术去掉了原GaAs衬底.SEM和PL观察表明,利用键合技术可以完整地把立方相GaN外延薄膜转移到新的衬底上而不改变外延层的物理和光学性质.XRD（X射线衍射）结果分析显示,键合后的样品中出现了新的合金和化合物:AuGa2,Ni4N,意味着用来作为黏附层和形成Ohm接触的Ni/Au膜与p-GaN形成了紧密的结合,保证了金属膜与GaN层的牢固度和界面的小接触电阻,成功地完成了键合,为下一步以GaAs吸收衬底生长的GaN基器件的研制打下了基础.

中科院微电子所取得厚膜氮化镓与多晶金刚石异质集成技术新突破

近日,中科院微电子所的高频高压中心传来喜讯,刘新宇研究员团队携手天津中科晶禾公司等单位,在厚膜氮化镓(GaN)与多晶金刚石直接键合技术领域取得了显著进展。该研究不仅攻克了多晶金刚石表面形貌的难题,更在室温下实现了与厚膜GaN的高效直接键合,为晶圆级多晶金刚石键合技术的开发和应用开辟了新的道路。

晶片键合技术实现器件新发展

硅基上生长III-V族材料是一种常见的材料集成方式。该领域已经实现了一些突破,但该项技术仍存在一些缺陷,如:生长界面缺陷密度过高;化合物半导体沉积速率不够快;外延设备购置成本过高等。基于不同材料可在等离子体激活条件下直接键合这一方式,可以解决以上诸多困难。与传统外延生长技术相比,该项技术使得器件设计和流程实现更为自由,而近阶段广泛的应用实例也证实大部分的化合物半导体能够直接与不同衬底键合。

美国采用新型键合技术改进氮化镓器件的散热性能

据佐治亚里工学院网站3月16日报道,在美国海军研究办公室(ONR)的资助下,佐治亚理工学院采用一种表面活化键合方法,成功在室温下将氮化镓(GaN)与金刚石集成在一起。研究人员首先在高真空环境中使用离子源清洁氮化镓和金刚石的表面,然后通过形成悬空键来活化表面。在离子束中加入少量硅,有助于在室温下形成牢固的原子键,使氮化镓和单晶金刚石直接结合,从而制造出高电子迁移率晶体管(HEMTs)。