直接键合硅片界面键合能的理论分析

直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度 ,是退火温度和时间的函数 ,界面反应激活能决定着成键的行为 .硅片键合能随退火温度分两步增加 ,这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能 .将硅本征氧化层与硅热氧化层两种键合界面在退火过程中的行为进行了理论分析与比较 .硅本征氧化层的键合能随温度的增加要比热氧化层界面的大 .

直接键合硅片的亲水处理及其表征

硅片直接键合（ＳＤＢ） 技术的关键在于硅片表面的亲水处理， 本文分析了亲水处理之微观机理。从界（表） 面物理化学角度讨论了接触角对硅片表面亲水性的表征及其准确测量方法，

硅片的直接键合

介绍了硅片的直接键合工艺、键合机理。

硅片键合界面的应力研究

本文主要研究硅片直接键合界面结构与应力大小.当抛光硅片直接键合时,界面出现极薄的过渡区,并存在微小的晶向差,但不引起多余应力.当热生长了二氧化硅层的硅片相键合时,界面存在二氧化硅层,并引起张应力,其大小与硅二氧化硅系统应力大小相当.

硅片直接键合杂质分布的模型与模拟

根据键合过程和半导体中杂质扩散的规律建立了硅片直接键合工艺的数学模型 ,得到了键合后硅片中杂质的浓度分布 .并利用MATLAB软件 ,编写了键合工艺模拟程序 ,计算结果与实验进行了比较 .该模型可以为相关器件的研究提供参考 .

一种新颖的低温硅片直接键合技术

提出一种使用CF4等离子体激活处理硅片表面来降低退火温度的低温硅片直接键合新方法.硅片用CF4等离子体激活处理,经过亲水处理预键合后,再在N2保护下进行40h 300℃的热处理,硅片的键合强度达到了体硅本身的强度.

硅片直接键合工艺中的热过程

本文介绍了一种利用硅片直接键合(SDB)技术制作Si/Si衬底的方法。从理论上研究了键合过程中的热过程,如键合界面区中氧的扩散和杂质的再分布。利用SDB方法制成了p-n^+二极管,其击穿电压为500V,正向压降略小于0.7V,测得的少子寿命约为7.5μs。

硅片直接键合的微观动力学研究

基于直接键合硅片表面能与退火温度的关系曲线， 定量讨论了键合时键合界面上的微观动力学变化过程。首次提出五阶段键合模型计算值与实测表面能曲线相一致，初步确定了键合过程中界面发生的微观反应机理。

硅片键合技术的研究进展

硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工相结合,用在MEMS的加工工艺中。常见的硅片键合技术包括金硅共熔键合、硅/玻璃静电键合、硅/硅直接键合以及玻璃焊料烧结等。文中将讨论这些键合技术的原理、工艺及优缺点。

硅片键合制备SOI衬底

硅片键合制备ＳＯＩ衬底童勤义（东南大学微电子中心，南京２１００９６）一、引言硅片直接键合ＳＤＢ的研究与开发，从８０年代中期以来，在国际上迅速开展起来，它的最主要特点是与硅超大规模集成技术（ＶＬＳＩ）的兼容性及其自身的灵活性。相同的或不相同的，抛光的半...

微机械加工中的图形硅片键合技术

重点介绍了在微机械加工中碰到的带图形硅片键合工艺，测量了不同表面处理和不同退火条件下的表面能，估算了封闭腔内的剩余压力和腔体薄壁的形变。

硅片键合界面的吸杂效应

本文对硅片直接键合界面的吸杂效应进行了研究，根据键合界面存在晶格缺陷、氧沉积物和微缺陷等事实，提出了键合界面的吸杂试验，分析了其吸杂效应的机理，给出了吸杂方程。理论计算和实验结果得到了较好的吻合。

硅片键合界面对功率管饱和压降的影响

本文讨论了键合工艺及键合界面的存在对功率晶体管饱和压降的影响,指出严格的控制各种沾污,适当的选择衬底材料可降低界面势垒。实验证明,用键合材料制作的功率管比深结扩散材料制作的功率管饱和压降略有下降。

用硅片键合技术制备真空微二极管

本文简述了场发射真空微二极管的工作特点、结构参数设计考虑及制备工艺技术，对键合法制备的样品进行了测试分析：起始发射电压５～６伏，反向击穿电压大于７０伏发射在田极电压为２０Ｖ时达０．５ｍＡ。

硅片直接键合技术在双极功率器件中的应用

本文介绍了利用硅片直接键合（ＳＤＢ）技术代替三重扩散，生产ＤＫ５５双极功率器件。实验说明，ＳＤＢ片代替三重扩散无需高温长时间的扩散，由于衬底质量好，器件特性得到提高，工艺过程中碎片率减少，生产效率提高。

硅片直接键合技术及应用

本文介绍了硅片键合技术和键合界面性能及其在高压功率器件。

硅片真空键合设备研制

为了将硅片与硅片有效的键合在一起,研发了一款硅片键合设备。介绍了硅片键合原理及硅片真空键合设备的主要技术指标、设备结构、控制系统等。

硅片键合过程中的接触面积

给出了估计硅片在键合过程中实际接触面积的理论模型.模型描述了硅片表面的凸起分布及其弹性形变对接触面积的影响.对于满足键合条件的硅片表面,荷载压力和表面吸附是促使接触面积增加的主要因素.

适合于VDMOSFET的硅片直接键合技术

采用硅片直接键合(SDB)工艺代替传统的外延工艺制备出材料片,并将其应用于VD MOSFET器件的研制。实验结果表明,采用SDB硅片制造出的器件,其电学特性优于采用外延片制作出的器件。

用氧等离子体激活处理的低温硅片直接键合技术

针对在Ｍ ＥＭＳ加工中所要求的低温键合，提出了一种用氧等离子体激活处理来降低退火温度的低温硅片直接键合技术。研究了低温ＳＤＢ的特性并得出了经过氧等离子体处理的硅片界面能比常规同条件的ＳＤＢ提高近１０ 倍的结论。最后详细探讨了其键合机理。