键距差方法中等同键数值的计算机计算方法

本文提出了一种适用于计算机使用的,简单的确定等同键数值的计算方法.并通过实例说明了本方法的基本思路和计算步聚,给出了普遍适用的计算程序框图.

固体与分子经验电子理论的发展现状与展望

固体与分子经验电子理论(简称EET)能够给出实空间中体系的能量及电子分布情况,计算简便实用。目前EET已被广泛应用到材料科学领域,但其发展进程仍比较缓慢。综述EET的发展现状及未来趋势。从EET多重解的处理、计算精度的改善、界面电子结构的计算以及合金成分设计方面详细地报道EET自我完善发展的最新进展。分析EET的优势及制约发展因素,同时也为EET未来发展提出了一些建议与想法。

固体与分子经验电子论对Mo-30W合金耐液态锌腐蚀性能研究

使用"固体与分子经验电子理论"(EET)分别计算了纯Mo,W原子的价电子结构表电子结构,使用"键距差法"(BLD)分别对纯Mo,W及Mo-30W合金进行了计算,按照"固体与分子经验电子理论"基本思想提出了杂阶数目多则材料抗腐蚀性高的观点。结果表明:Mo-30W合金的耐液态锌的腐蚀性、弹性、塑性、强度等指标远高于纯Mo,W材料,更具有工业价值。

钛铝合金中氧化膜TiO_2的价电子结构分析

采用基于固体与分子经验电子理论(EET)提出的自洽键距差(SCBLD)法,计算了TiO_2的价电子结构参数及其结合能。计算结果表明:由于晶体结构内最强键的键能很大(205.8282KJ/mol),且在晶体内均匀分布,TiO_2表现出良好的热稳定性;TiO_2晶体内两种主干键的键能值大(205.8282KJ/mol和137.5898KJ/mol),约占总能量的95%,晶体在升温过程中表现出很强的抵抗热运动的能力和较高的熔点;TiO_2中较弱共价键比较多,容易产生内应力,会引发TiAl合金的脆性。

AlN对Mg-Al合金凝固过程影响机制的价电子理论研究

采用固体与分子经验电子理论(EET)研究AlN对Mg-Al合金凝固组织的影响机理,建立了Mg、AlN晶体结构的计算模型,利用自洽键距差法(SCBLD)计算了Mg、AlN晶体的价电子结构与结合能。在此基础上,采用断键法计算了Mg、AlN晶体(0001)晶面的表面能,进而计算了Mg/AlN异质界面上的界面能。研究结果表明:Mg/AlN之间的界面能大于Mg自身均匀形核时的固/液界面能,因此,熔体中的Mg原子不能依附于AlN(0001)晶面进行生长,AlN对Mg-Al合金的细化效果不明显,这从电子层次上解释了AlN在Mg-Al合金凝固过程中的微观作用机制。

PZT固溶体的价电子结构与铁电性

应用固体与分子经验理论(EET)计算了铁电材料PbZrxTi1-xO3(0<x<1)体系的价电子结构。研究表明,O的2p轨道与B位原子(Zr或Ti)的最外层d轨道的杂化是铁电性的必要条件。PZT为四方钙钛矿结构时,B位原子相对于O发生了一个位移,由此产生了一个电偶极矩(自发极化),B位原子和O原子共价作用的强度(表现为nA的大小)明显大于其他原子间的共价作用,且杂化的强弱可表明铁电性的强弱。Zr的取代量的多少对铁电性的好坏也有直接的影响。计算结果与其他相关文献进行了对比,指出该经验理论用于研究PZT的可行性和有效性。

基于价电子理论的Ag-Sn金属间化合物形成机理

SnAgCu焊点中的金属间化合物(intermetallic compounds,IMCs)Ag_(3)Sn脆性大且电阻高,对焊点可靠性具有重要影响,有必要明确其形成过程和相变机制以控制其生长.采用固体与分子经验电子理论(empirical electron theory,EET)研究Ag-Sn系统中的主要扩散元素及原子运动路径,应用自洽键距差(self-consistent bond length difference,SCBLD)法计算了Ag-Sn系统内参与反应相的价电子结构及可能形成的固溶体的结合能,根据结合能变化趋势从价电子层面描述出Ag_(3)Sn在焊点内部的形成过程.研究结果表明:Ag-Sn系统中的主要扩散元素为Sn,Sn原子进入Ag晶胞形成固溶体,固溶体内原子重新排布,形成结合能更高、排布更均匀的共价键,造成晶格膨胀,位于(110)晶面和面心位置的Ag原子随之向外扩张,形成了同样具有良好对称性的Ag_(3)Sn,与前人研究Ag-Sn系统扩散的实验结果相符.