C-H,C-N,C-O,N-N的键离解能和键长的计算

用B3LYP/6-311G**和CCSD/cc-pVDZ方法对CH4、CH3、CN、CO、N2、CH3NH2、CH3NO2、NH2NO2八个分子中的C-H、C-N、C-O、N-N键离解能进行计算,通过比较研究可知,计算CH3、CH3NH2、CH3NO2分子中的C-H键离解能和CN、CO、N2分子的键离解能用B3LYP/6-311G**方法可靠,而计算CH3-H、CH3-NH2、CH3-NO2和NH2-NO2分子的键离解能用CCSD/cc-pVDZ方法更可信;用以上二种方法对本文的八个分子的平衡几何结构进行优化求出所需的键长,通过比较可知,CH4、CH3、CN、CO、N2分子用B3LYP/6-311G**的方法进行平衡几何优化求得的键长更可靠,而CH3NO2、NH2NO2、CH3NH2分子则用CCSD/cc-pVDZ方法优化出的键长是更可信.

氢键复合物中键长变化与振动频率移动相关性重访(英文)

X―H···Y(Y为电子供体)型氢键形成时,X―H键长伸长或缩短与相应的X―H伸缩振动频率红移或蓝移存在较强的相关性,这也是氢键光谱检测和研究的基础.但是,最近的理论研究却推翻了这一观点,认为X―H键长变化和相应的X―H伸缩振动频率移动在有些氢键体系中并不存在相关性(McDowell,S.A.C.;Buckingham,A.D.J.Am.Chem.Soc.2005,127,15515.).本文中,我们采用更为可信的计算方法,对这一问题进行再研究.结果表明是错误的计算方法导致了McDowell和Buckingham得出错误的结论.在McDowell和Buckingham所研究的氢键体系中,X―H键长变化和相应的X―H伸缩振动频率移动仍存在较强的相关性.

锝化学研究Ⅷ．晶体中锝、铼配合物的构型与键长变化规律

总结了锝、铼化合物中ＭＯ＿６、ＭＯ＿４、ＭＸ＿５ａ和ＭＸ＿４αβ体系中的键长变化规律，并用“空腔模型”予以解释。锝、铼的化学性质非常相似，当体系处于空腔控制状态时，对应化合物具有相同的构型和几乎相等的键长。高价锝、铼易于与Ｎ、Ｏ、Ｆ、Ｓ、Ｃｌ和Ｂｒ结合，而低价锝、铼（≤３价）易于与Ｐ、Ｓｅ等原子结合。处于空腔控制状态的化合物表现出下列性质：（１）ＭＸ＿４αβ体系的赤道平均键长基本不变；（２）ＭＸ＿６体系的平均键长受锝、铼氧化态的影响很小；（３）ＭＸ＿５α体系中Ｍ－α的对位Ｍ－Ｘ键长与赤道偏转角有线性关系。

用经典力学计算氢分子的键长键能及力常数

氢原子中 1s电子的电子云呈球形 ,电子的最大几率密度分布出现在玻尔半径a0 的球壳内 ,认为几率密度分布及电子云属统计规律 ,意味着已经使用了宏观时标 ,这样就使氢分子体系中能量和时间的作用量远大于普郎克常数 ;根据电子云的交叠 ,用经典力学计算了基态氢分子的结构常数 ,获得键长、键能及力常数的表达式分别为Re=2a0 ,De=ze/4 2a0 ,k=ze/2 2a30 ,采用原子单位 (a .u .)时z、e及a0 均为 1,获得Re=1 414a .u .,De=0 177a .u .,k =0 3 5 4a .u .,这些数值与实验值的相对误差分别 <1% ,<2 %和<4% ;成键模型直观 ,物理意义明确 。

Ga_2Se_3:Co^(2+)光谱及Co-Se键长的研究

Ga_2Se_3是典型的A_2~ⅢB_3~Ⅵ型半导体材料、它在光电方面有很大的应用潜力而被广泛关注。采用Sugano-Tanabe强场近似理论,并引入平均共价因子N,利用经典的晶场能量矩阵公式,运用完全对角化方法,拟合了Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体的吸收光谱,得到了与实验符合甚好的理论值,从而解释了Ga_2Se_3:Co^(2+)晶体的吸收光谱。同时研究了立方场下配体键长R与晶场参量Dq的变化关系,并从理论上计算了Co-Se键长。结果表明Co离子取代Ga_2Se_3中的Ga离子后,Co-Se键长比Ga-Se键长缩小0.1A。

SEELFS对几种物质表面原子键长的研究

The surface structure of Cu,Al and γ Al2O3 have been investigated b y SEELFS and obtained nearest neighbor distances of the central atoms.The value s compared with those calculated according to theories shows that the errors wer e about 0.01－0.03nm before correcting the phase shifts.These results show the p ossibility of performing SEELFS technique by Auger electron spectrometer.

H2＋键长计算公式的推导

本文用里兹（Ｒｉｔｚ）变分法求出基态能量附近的能量随变分参数和分子键长变化的数值关系，并以此为基础，用抛物线插值法获得键长的计算公式，其结果比Ｓ．福里格所给出的键长计算公式更接近于实验值．

共价键长间经验关系的近似模型证明

依据类氢化近似理论和轨道最大重叠原理对原子共价成键提出一个直观的近似物理模型。模型确定:σ键重叠位置是两成键原子p价电子云的最大几率平面相重合的位置,π键重叠位置是两成键原子p价电子云最外极大几率环相接触的位置,构成重键时价电子云重叠取σ键和π键的平均重叠位置。由此计算出来的共价单键、双键和叁键之间的键长关系基本符合共键长间的经验关系。本文模型较之Pauling的弯键模型有较厚实的理论基础。

用人工神经网络计算双原子分子的键长

用神经网络反向传播算法计算了双原子分子的键长。采用二原子的 Slater 原子半径,Paul-ing 电负性,在元素周期表中的主族数及周期数等作为特征变量,得到了神经网络的训练及预报结果。

氢分子离子H_2^+键长和离解能的一种解析计算法

利用一种具有相位因子和斥力项的势函数,给出了氢分子离子H2+的键长和离解能的 解析计算式.在特定相位条件下,由此计算出的键长和离解能与实际值相吻合.

键长、价层轨道能与A─H键振动频率

键长、价层轨道能与Ａ─Ｈ键振动频率喻典，吕祖美（重庆师范学院重庆６３００４７）（重庆沙坪坝区教师进修学校重庆６３００００）关键词：氢化物，振动频率，价层轨道平均能键长振动频率的大小反映了化学键的强弱和分子的稳定性，由于测定的实验数据有限，建立简单而准...

键能/键长指数^mZ及对无机氢化物pKa_1值的预测

受Randic分子连接性拓扑指数mX的启发 ,本文构建了一种新的分子连接性拓扑指数mZ。用mZ的 0 ,1阶指数0 Z ,0 Z和 1Z ,0 Z和杨频的 ρ值分别与 p区无机氢化物的 pKa1值关联 ,拟合成 3个线性方程 ,其相关系数与相关指数分别为 0 .9938,0 .9944和 0 .9948,拓扑指数的结构选择性满足唯一性表征。预测取得了较好的结果。

离子极化作用及其对键型、键长和键角的影响

本文讨论了离子极化作用及其对化学键键型、健长和键角的影响。

H_2^+键长和基态能量的再计算(英文)

用Ritz变分法求出了氢分子离子H2 + 基态能量附近的能量随变分参数和分子键长变化的数值关系 ,并用抛物线插值法获得了H2 + 键长和基态能量的值及其计算公式 ,比文献 [1,2 ]更接近于实验值。

原子间的键长随温度的变化

当考虑到键型变异时,异核原子间的键长可以表示为: rAB=rA+r+B-β（XA-XB） （1） 其中rA、rB分别是A、B原子的共价半径,而XA及XB分别是A、B原子的电负性,β为经验常数,可以查到,显然,对于同核原子,原子间的键长为: rAA=rA+rA （2） 一般的分子,在中等温度的情况下,就会产生振动。分子中的原子在振动过程中,当离开其平衡位置时,会受到与位移成正比的力,当原子间相隔较远时,它们之间存在吸引力,这个力就是形成化学键的原因。当原子间相距很近时,它们之间又产生排斥力,这个排斥力主要归因于泡利不相容原理,因为每个原子中填满电子的壳层不允许容纳其它电子。 如果取A原子为坐标原点,A、B二原子相互作用力为零的原子间距 r0代表平衡位置,即势能最低点,则在该点附近,势能U随距离r的变化可用泰勤级数展开表示为: （3） 当B原子离开平衡位置r0而位移到r时,其所受的力为 （4） 其中,U″（r0）为力常数.以k表示.而U（r0）为U（r0）为r的微分: （5） 当原子在其平衡位置附近振动时,其势能与动能之和为一常数,温度愈高,振动能愈大,振幅就愈大,由于无规的热振动,原子的位置在rr+dr时的势能为U（r）时,这种位置的几率按照玻耳兹曼分布为 （6） 其中A为常数,所以r的平均值为: （7） 由于当r为较大负值时,e[-U（r）/KT]

帮助学生掌握化学键性能概念——从化学键的键长与键能关系理解C-X键的键长极限

同一类型化学键C-X的键长与键能有良好的线性关系。就键长变化对键能变化的敏感度而言,碳-碳键的键长随键能的变化比碳-氢键迅速,前者是后者的2倍多;碳-卤键的键长随键能的变化是碳-氮/氧键变化的5倍。对有机化合物的碳-碳、碳-氢、碳-氮/氧键及碳-卤键,它们的极限长度分别为174.71、119.52、162.58和277.61pm。应用化学键的极限长度可帮助我们理解有机化合物的反应活性。

利用固化区域理论测定线型缩聚物的有效键长

利用固化区域理论和外推作图法,给出了借助化学反应参数推算线型缩聚物“有效键长”的方法.该法避开了直接测定内环化反应程度的困难.

表面修饰对硅锗合金纳米线的内部键长分布及能带影响的机理研究

采用密度泛函第一性原理方法,研究了三种不同官能团修饰对硅锗<111>方向纳米线内部键长分布的不均匀性及能带影响,计算结果表明CH 3修饰加剧了键长分布不均性,与其它两个官能团相比,键长峰值弱化,键长范围扩大,也就是键长发生了再分布,F修饰对键长表现出了拉力效应,但并没有引起键长的再分布.同时,通过计算电子性质,以H修饰纳米线为参考,因不同官能团修饰对键长不均匀性的影响不同,使能带Z点位置下移幅度不同,CH 3修饰纳米线下移幅度最大,F次之,H修饰的下移幅度最小,这为利用不均匀性调控电子结构提供了理论依据.

烃分子中碳碳键长探究

键长、键能、键角是反映分子结构的三个重要参数。同一类型的键长在不同的分子中有一定差别,特别是在烃分子中碳碳键长的变化因素涉及原子结构及分子结构的有关理论。链烃分子中碳-碳单键的键长主要取决于碳原子的杂化形式,分子芳香性的强弱取决于碳碳键长的平均化程度。

LiF：Co^（2＋）和NaF：Co^（2＋）晶格中的Co^（2＋）－F~－键长

本文从光谱数据出发，用参量化的ｄ轨道理论确定了ＬｉＦ：Ｃｏ２＋和ＮａＦ：Ｃｏ２＋晶体中的Ｃｏ２＋－Ｆ－键长．结果表明：ＬｉＦ：Ｃｏ２＋中，Ｃｏ２＋－Ｆ－键长基本与未掺杂ＬｉＦ晶体中的Ｌｉ＋－Ｆ－距离相同；而ＮａＦ：Ｃｏ２＋中的Ｃｏ２＋－Ｆ－键长则有很大收缩，完全不同于未掺杂ＮａＦ晶格中的Ｎａ＋－Ｆ－键长．从杂质离子半径与被取代离子半径的差别引起的局域畸变及静电平衡机制引起局域畸变出发进行的讨论表明。