Mn^(2+)/Ce^(3+)共掺钙钛矿量子点的光学特性研究

针对Mn^(2+)离子掺杂CsPbCl_(3)量子点中发光效率低且铅毒性问题,采用改进的热注入法制备了(Mn,Ce):CsPbCl_(3)量子点。利用Ce^(3+)离子4 f-5 d本征跃迁导致的主晶格到Mn^(2+)发射的能量转移,实现Mn^(2+)发射增强。研究表明,稀土离子Ce3+的引入有助于提高激子到Mn^(2+)的能量转移效率,从而提高量子点的光致发光量子效率。在PbCl_(2)∶MnCl_(2)∶CeCl_(3)进料比为1∶1∶0.5时,量子产率为19%,较纯CsPbCl_(3)量子点的发光效率提升了33倍。此外,制备了基于(Mn,Ce):CsPbCl_(3)量子点复合荧光粉的白光发光二极管,对其电致发光强度、显色指数(CRI)和色温随着驱动电流的变化做了一定的研究,当驱动电流为20 mA时,色温为3000 K,CRI为81.9.

微波调谐铈钇共掺Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜的改性机制研究

用改进的溶胶一凝胶法制备光滑致密的预晶化铈（Ce）和锰（Mn）共掺钛酸锶钡（CeMn—SST）薄膜。电容－电压曲线表明，随着薄膜厚度的增加，综合介电性能大幅度改善，8层薄膜显示介电常数约为1300、低于0．007介电损耗、高于58％调谐率及接近180优质因子等优化介电性能，为主要沿（1101晶面层状生长的钙钛矿结构。

In∶Ce∶Mn∶LiNbO_3晶体的全息存储性能(英文)

原料采用固液同成分配比,在LiNbO3(LN)晶体中掺入质量分数为0.1%CeO2和0.015%MnCO3,摩尔分数分别为0,1%,2%和3%的In,用提拉法生长In:Ce:Mn:LN晶体。测试了In:Ce:Mn:LN晶体的红外透射光谱和抗光损伤能力。结果表明:3%In:Ce:Mn:LN晶体的OH-振动吸收峰紫移到3508cm-1位置;其抗光损伤能力比Ce:Mn:LiNbO3晶体提高2个数量级以上。利用二波耦合光路测试晶体的写人时间(τw)、擦除时间(τe)和衍射效率(η),计算晶体的动态范围(M#),研究In3+掺量对Ce:Mn:LN晶体光折变性能的影响。结果表明:In:Ce:Mn:LN晶体是比Ce:Mn:LN晶体综合性能更好的全息存储材料。