Low-E玻璃镀膜面处于不同位置对中空玻璃性能的影响

本文主要分析了Low-E玻璃镀膜面放置位置不同时,对Low-E中空玻璃尤其三玻Low-E中空玻璃的U值、遮阳系数的影响,并对Low-E玻璃e值、U值、遮阳系数的相应关系,及中空玻璃充填惰性气体后玻璃U值的变化进行了探讨,以期为节能门窗设计提供了Low-E玻璃的使用方法。

808nm大功率量子阱激光器无吸收腔面镀膜的研究

用电子束反应蒸发法制备的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜和 Ａｌ２ Ｏ３ 膜组成的 ａ Ｓｉ∶ Ｈ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系，解决了 ａ Ｓｉ／ Ａｌ２ Ｏ３ 膜系在 ８０８ｎｍ 波长有较强光吸收问题，吸收系数从 ２×１０３ｃｍ － １ 降低到可以忽略的程度．ａ Ｓｉ∶ Ｈ 膜的光学带隙为 １７４ｅ Ｖ 左右．应用到 ８０８ｎｍ 大功率量子阱激光器腔面镀膜上。

射频磁控溅射腔面镀膜半导体激光器的可靠性

利用射频磁控溅射法对半导体激光器的腔面镀 Si O2 膜 ,并对镀膜后的器件在恒定电流下进行了加速寿命实验 ,结果表明镀膜后器件的特性得到了很大改善。器件平均输出功率提高了 49.8% ,平均阈值电流下降了 7% ,平均斜率效率提高了 5 0 % ,而且射频磁控溅射方法所镀的膜具有粘附性好、膜层致密、厚度易控制、稳定性好、成本低等优点 ,器件的可靠性也有明显提高。

808nm大功率量子阱激光器腔面镀膜实验研究

用实验方法研究了高反射和减反射薄膜对 80 8nm大功率量子阱激光器光电性能参数的影响 ,发现腔面镀膜能够显著提高激光输出功率、斜率效率和电光转换效率 ,可以对激射波长进行微调 。

大功率半导体激光器腔面镀膜的理论研究

从平面波假设出发推导了多层薄膜的特性矩阵，得到了膜系的反射率计算公式。研究了腔面反射率对大功率半导体激光器的外量子效率、阈值增益和输出功率比的影响，并给出了整个膜系反射率随膜层的光学厚度、折射率差及其层数的变化趋势。该模型对半导体激光器的腔面膜层设计具有实际的指导意义。

腔面镀膜对1342nm分布反馈半导体激光器输出功率的影响

为提高1342 nm分布反馈(Distributed Feedback,DFB)半导体激光器的输出功率,设计了三种腔面膜膜系组合。采用电子束蒸发镀膜技术对该激光器进行了腔面镀膜,并测试了其在三种膜系组合下的输出功率。结果表明,采用增透膜为基底(Sub)/Al_(2)O_(3)/Ta_(2)O_(5)/空气(Air)、高反膜为Sub/(Al_(2)O_(3)/Si)^(3)Al_(2)O_(3)/Air的腔面膜膜系组合时,激光器的输出功率最高。前腔面反射率为0.2%,后腔面反射率为98.6%。在260 mA的直流电流下,平均输出功率达到了85 mW以上(增加了85.6%),斜率效率提升了82.9%。通过采用此膜系组合进行激光器腔面镀膜,可以大幅提升1342 nm DFB半导体激光器的输出功率。

真空连续镀膜在家电产品上的实际应用

真空镀膜主要是装饰出具有金属质感,同时有展现出多彩的颜色效果,丰富了电子产品的外观,也注入了金属的元素。任何材料皆可实现,尤其可以使塑料通过这环保工艺而达到金属质感效果,增加其使用寿命。

光纤光栅外腔激光器光学薄膜的研制

腔面光学薄膜是光纤光栅外腔激光器(ECL)的关键结构,平面波方法(PWM)被广泛应用于腔面光学薄膜的设计,然而该设计在ECL中的实际应用效果往往并不理想。本文在使用PWM方法时通过时域有限差分法分析其中的原因,并考虑腔面尺寸和结构影响。仿真结果显示,PWM设计存在反射率差和反射曲线偏移等问题,实际的反射特性显著偏离设计值。因此本文重点优化了薄膜设计,并采用磁控溅射工艺镀膜。测量结果显示,优化后增透膜的反射率降低了30%,高反膜反射率增至96%以上,所制备的ECL的光纤输出功率超过650 mW。本文研究结果为ECL和其他半导体光电子器件的腔面光学薄膜研制提供了参考。

浅析LOW-E玻璃在建筑节能设计中的应用

在绿色发展理念下,建筑节能设计的重要性得到了突显。其中,新材料、新技术的运用,让建筑节能效果得到了进一步的提升。其中,LOW-E(低辐射)玻璃因为具有双向节能效果,成为一种广泛应用的建筑节能材料。随着相关研究的进步,目前市场上的LOW-E玻璃种类也逐渐丰富起来,常见的有高透型、双银型、遮阳型等几种类型。不同类型的LOW-E玻璃,在适用环境、节能效果上也有差异,需要综合考虑地方环境、建筑结构等因素进行选择。在这一背景下探究LOW-E玻璃在建筑节能设计中的具体应用策略具有重要价值。

腔面镀膜分布反馈量子级联激光器

报道了后腔面蒸镀高反射率镀膜工艺及其对分布反馈量子级联激光器性能影响的研究结果。与没有腔面镀膜的器件相比,采用了腔面镀膜工艺的器件,室温下的阈值电流密度降低了20%,前腔面出光峰值功率提高了50%,斜率效率提高了44%。通过对比镀膜和未镀膜器件的阈值电流密度,估算出器件的波导损耗约为7.25cm-1。

P型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器

1.3μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜力。

808 nm连续输出13.6 W单芯片大功率激光器

通过对大功率激光器腔面光学灾变损伤的研究,分析了激光器腔面镀膜的损伤机理。为了提高激光器的输出功率,采用TiO_2替换Si作为高折射率材料,建立非标准膜系降低电场强度,同时优化膜层材料的粗糙度,并采用离子源进行清洗和助镀,有效提高了激光器的腔面光学灾变损伤阈值。结果表明,所制作的808nm激光器,最大连续输出功率达到13.6 W。

Optimization of the cavity facet coating in high power GaN-based semiconductor laser diodes

A method to calculate the reflectivity of the coated cavity facet was proposed, and the distribution of the optical power near the two coated cavity facets was calculated for GaN-based laser diodes. A new design method for reducing the optical power at the two cavity facets without changing the output power of laser diodes was discussed, which is helpful to optimize the cavity facet coating and raise the threshold current at which catastrophic optical damage occurs.