浸镀时间对镀钯无氧铜线镀层质量的影响

采用直接镀法和扫描电子显微镜研究了影响无氧铜线镀钯层质量的因素。结果表明:浸镀时间和纳米钯粉含量对无氧铜线镀钯层质量有显著影响。当镀液中纳米钯粉的质量分数为2%、表面活性剂OP-10的质量分数为3%时,在室温浸镀15 min以上的无氧铜线表面纳米钯颗粒团聚较少,几乎无露铜现象;纳米钯粉和OP-10的质量分数分别增加至4%和6%时,在室温浸镀20 min的无氧铜线镀层质量最好。此外,当镀液温度升高至约60℃时,浸镀15 min的无氧铜线镀层不均匀,漏铜现象明显。在450℃真空退火后,镀钯铜线的镀层界面结合强度和平整度提高。

铝焊盘镀钯铜丝多焊球脱焊失效的电化学评价

研究铝焊盘的镀钯铜丝(PCC)焊点的多焊球脱焊(MLB)失效过程,对提高产品的可靠性至关重要。利用电化学方法测定了在不同氯离子浓度、pH值和铜暴露面积等条件下电极的腐蚀电流,以表征铝及其金属间化合物(IMC)的腐蚀速率。结果表明,氯离子可以改变阳极极化率,从而影响腐蚀电流;pH值的变化可以改变阴极极化率,从而影响腐蚀电流。钯作为铜丝的保护层,在镀层分布不均或参数选择不当的条件下,与暴露的铜表面形成腐蚀电偶,导致铝及其IMC成为牺牲阳极并被腐蚀。

镀钯铜线的制作工艺及性能研究

用扫描电镜观察了直接镀钯铜线和电镀钯铜线的表面形貌,并对直接镀钯铜线的性能进行了研究。结果表明,直接镀钯技术优于电镀钯技术。直接镀钯铜线具有高的伸长率和破断力、好的表面质量、致密的镀层、高的电信号传输性能。

柠檬酸钾镀钯新工艺

研究在柠檬酸钾和草酸铵镀液体系中镀钯工艺。结果表明，采用本实验室研制的添加剂XP－4和XP－7以及PPS和FF，则可在电流密度0.5～3.5A／dm2、温度40～60℃的宽范围内获得全光亮的钯电沉积层。钯沉积的电流效率和沉积速度在镀液中钯含量为10g／L、1．0A／dm2的条件下分别可达到92.0％和0.25μm／min，并随电流密度和镀液中钯含量的变化而改变。XP－4和XP－7均阻化钯的电沉积，提高钯电沉积的过电位。它们共存时可使把电沉积的电位负移达240mV。

化学置换镀钯的研究

分别运用X射线荧光测厚和SEM,研究了Pd浓度、NH3·H2O浓度、EDTA浓度、pH值及时间对印刷电路板置换镀钯的影响。实验结果表明,当CPd2＋浓度在0.5~0.8g/L范围内,钯的沉积厚度随钯离子浓度的增加而增加;当CPd2＋浓度大于0.8g/L时,钯的沉积厚度基本不变;Pd的沉积厚度随着所加入的NH3·H2O的量的增多而先增大后减小;EDTA能提高镀钯液的稳定性,Pd的沉积厚度随着EDTA浓度的增加而降低;当pH=（5.0±0.2）时,Pd的沉积厚度达到最大;镀钯速率随施镀时间的增加而下降。SEM的结果表明,在40℃时所得钯层致密、厚度均匀。

换向器镀钯在微电机中的应用

介绍了电枢换向器表面镀钯工艺,研究了换向器表面镀钯后电枢性能的变化。镀钯后电枢电阻阻值变化稳定、抗氧化和硫化能力增强、耐磨损和耐腐蚀得到显著提升。

镀钯技术及工艺研究

为了适应现代电子、光学及装饰等领域的需要,采用正交试验法研究了镀钯新技术及工艺,研究了镀液成分和工艺条件对镀层的影响。概述了镀钯液的配制和维护,并介绍了镀钯过程中的注意事项。利用本工艺电镀能得到性能优良的钯镀层,如外观白亮、反光率高、接触电阻小、硬度高、耐磨、耐蚀等优点。

某型鱼雷铍青铜零件镀钯工艺研究

根据某型鱼雷铍青铜零件的特点,采用铵盐镀钯工艺,对镀槽槽体材质选择、前处理、底层金属安排、镀后处理、厚度控制和槽液稳定性等进行分析,确定了铍青铜零件镀钯的最佳方案。

化学镀镍浸金和化学镀镍镀钯浸金表面处理工艺概述及发展趋势

当今电子信息产品便携小巧、功能多样的发展趋势,推动了其所需PCB产品向轻薄、信号传送速度更快的方向发展,这对PCB表面处理工艺的稳定性、可靠性提出了新的挑战。另一方面,欧盟在2003年制定的RoHS、WEEE等规范都旨在消除电子产品中铅、汞等有害的物质,推动了PCB表面处理技术向绿色无铅化方向发展。化学镀镍浸金(简称ENIG)和在其基础上发展的化学镀镍镀钯浸金(简称ENEPIG)表面处理技术可以适应PCB精细线路多类型元件的无铅焊接装配要求。上述两种表面处理技术克服了由无铅工艺带来的诸多问题,但其自身也面临如何进一步降低成本和技术难度,提高工艺可靠性等一系列问题。

电镀钯工艺

概述了电镀钯工艺，可以获得物理性能优良的钯镀层，适用于装饰件和电子部件等电镀。

一种铝合金压铸件的环保型镀钯钢工艺

介绍了一种铝合金压铸件的环保型镀钯钢工艺,包括在铝合金基体上依次沉锌、镀酸性锌镍合金、化学镀镍、焦磷酸盐镀铜、镀酸铜、光亮镀镍和镀钯钢。该镀层进行中性盐雾试验120 h无锈蚀,热震试验无起泡或脱落。

电镀钯电解液

概述了含有可溶性钯盐、四元化合物、吡啶类化合物和缓冲剂等组成的电镀钯电解液,可以获得均匀致密平滑的光亮钯镀层,可以抑制钯镀层表面的氧化,从而获得焊接特性优良的钯镀层,适用于IC(集成电路)引线架、印制板和连接器等电子部件的可焊性表面精饰。

聚酰亚胺上激光诱导直接镀钯

利用激光的热效应使聚酰亚胺上的醋酸钯膜分解，得到直接镀覆的金属铝线，讨论了激光波长、扫描速率等因素对钯沉积层的影响，并对该沉积层进行了分析测试．

镀钯铜线键合中FAB表面的钯覆盖

铜引线键合由于低廉的成本和优良的材料综合性能而受到越来越多的重视,而镀钯铜线较纯铜线的应用更为广泛。其中,自由空气球(FAB)上钯的覆盖情况是需要进行研究的问题之一。由于烧球工艺为瞬态过程,因此在形成FAB后其表面的钯可能会出现不均匀的分布,后续的塑封环节中低含量的钯区域就会遭受外界的侵蚀,这对焊点的可靠性会有不良的影响。基于此,针对线径20μm镀钯铜线FAB上的钯覆盖区域进行了探究,并采用定制化的化学腐蚀方案来显示FAB上钯膜较厚区域和较薄区域在形貌上的差异。此外还讨论了不同电子火焰熄灭(EFO)工艺参数样品的钯薄弱区形状参数,最后分析了影响FAB表面上钯薄弱区的主要工艺因素,得到了相关工艺参数参考值,对后续工艺的可靠性提升有一定的借鉴意义。

化学镀镍镀钯浸金表面处理常见品质缺陷及解决方案

在各种表面处理技术中,化学镀镍镀钯浸金(ENEPIG)因具有良好的综合性能,被认为是PCB最理想的表面处理技术,但在实际工艺中容易出现漏镀,渗镀,金面异色,金面腐蚀等品质缺陷问题,影响产品可靠性。文章介绍了镍钯金表面处理技术中常出现的几种品质缺陷,并通过对其进行原因分析。

镀钯键合铜丝的发展趋势

铜丝表面镀钯是提高抗氧化性进而改善键合性能的有效手段。镀钯键合铜丝具有优异的综合性能,是半导体封装材料连接导线的新型材料。综述了镀钯键合铜丝国内外的发展现状、研究背景、镀钯工艺及金丝、铜丝和镀钯铜丝的比较。

镀钯铜丝芯片键合工艺控制和可靠性研究

随着金价的不断上升,集成电路封装成本越来越高。为此,集成电路封装厂商纷纷推出铜线键合来取代金丝键合,以缓解封装成本压力。但是纯铜丝非常容易氧化,为了提高键合生产效率及产品可靠性,目前封装厂商主要采用镀钯铜丝作为键合丝。对集成电路镀钯铜丝键合生产技术和工艺控制方法进行了探讨,并和金丝及纯铜丝工艺控制进行了比较分析。对镀钯铜丝键合工艺主要失效模式进行了介绍和说明,并就弹坑检测试验方法进行了比较分析和总结。特别是对特殊产品的弹坑检测试验如何才能确保结果准确,进行了实例分析。

浅谈镀钯铜线的特性

随着金线价格一路上涨并创下历史新高,大型封装厂正在加大对铜线制程的投入。通过封装厂多年的摸索,发现镀钯铜线是金线很好的替代品。文章分析了镀钯铜线作为键合线材料本身的基本性质,镀钯铜线引线键合的特征和镀钯铜线PCT实验的可靠性。通过分析发现镀钯铜线材料本身有优良的导电和导热特性,同时还有很好的抗氧化性。镀钯铜线在键合过程中需要保护气体的保护,通过硬度实验发现镀钯铜线的硬度较大,因此需要在键合过程中防止弹坑的出现。通过PCT实验证实镀钯铜线具有较好的可靠性。

超厚镀钯技术在光电经纬仪上的应用

以黄铜为基材,研究了吡啶添加剂–氨盐体系的电镀钯工艺,分析了钯盐、氯化铵、吡啶添加剂质量浓度,温度及pH对镀液和镀层质量的影响。在Pd(NH3)2Cl220g/L,NH4Cl15g/L,NH3·H2O35mL/L,吡啶添加剂25g/L,pH7～8,温度25～35℃和电流密度0.4～0.5A/dm2的条件下,获得了厚度达35μm的光亮钯镀层。该镀层与基体结合力良好,能满足光电经纬仪的工作要求。