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题名利用PⅢ技术改变框架与EMC间附着力的研究
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作者
刘立龙
张昕
卢茜
周乾飞
吴晓京
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机构
复旦大学材料科学系
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期434-438,共5页
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基金
国家科技重大专项(2009ZX02025)
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文摘
利用等离子体浸没式注入(PⅢ)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理。拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍铜框架与环氧塑封料(EMC)间的附着力分别提高了约35倍和12倍,而在使用O2和N2等离子体注入处理的情况下,附着力基本没有变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对处理前后的框架表面观察,发现PⅢ处理并未引起表面粗糙度的显著变化。利用X射线电子能谱(XPS)分析,可以发现在经过CO或CO2等离子体注入处理后的框架表面有羰基出现。基于这些结果,分析了导致附着力提升的机理。
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关键词
镀镍铜框架
环氧塑封料
等离子体浸没式注入
附着力
羰基
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Keywords
Ni/Cu leadframes
epoxy molding compound(EMC)
plasma immersion ion implantation(PIII)
adhesion strength
carbonyl
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分类号
TN305.94
[电子电信—物理电子学]
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