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利用PⅢ技术改变框架与EMC间附着力的研究
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作者 刘立龙 张昕 +2 位作者 卢茜 周乾飞 吴晓京 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期434-438,共5页
利用等离子体浸没式注入(PⅢ)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理。拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍铜框架与环氧塑封料(EMC)间的附着力分别提高了约35倍和12... 利用等离子体浸没式注入(PⅢ)技术,使用O2,N2,CO和CO2做气体源,对镀镍铜框架表面进行处理。拉力测试实验结果表明,与未经处理的空白框架相比,经过CO和CO2等离子体注入处理的镀镍铜框架与环氧塑封料(EMC)间的附着力分别提高了约35倍和12倍,而在使用O2和N2等离子体注入处理的情况下,附着力基本没有变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对处理前后的框架表面观察,发现PⅢ处理并未引起表面粗糙度的显著变化。利用X射线电子能谱(XPS)分析,可以发现在经过CO或CO2等离子体注入处理后的框架表面有羰基出现。基于这些结果,分析了导致附着力提升的机理。 展开更多
关键词 镀镍铜框架 环氧塑封料 等离子体浸没式注入 附着力 羰基
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