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“三次扩散-一次氧化-镀镍-锡锅焊接”生产200A平板型可控硅
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作者 李汉文 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期59-60,共2页
我们用“三次扩散-一次氧化-镀镍-锡锅焊接”代替“二次扩散-一次氧化-蒸铝-烧结”工艺生产200A 平板型可控硅,可以省却使用真空烧结炉、蒸发台、超声波点焊机等昂贵的设备,且其工艺简单,生产的器件动态特性好过载能力强,平均压降为0.6... 我们用“三次扩散-一次氧化-镀镍-锡锅焊接”代替“二次扩散-一次氧化-蒸铝-烧结”工艺生产200A 平板型可控硅,可以省却使用真空烧结炉、蒸发台、超声波点焊机等昂贵的设备,且其工艺简单,生产的器件动态特性好过载能力强,平均压降为0.6~0.7V。 展开更多
关键词 可控硅 扩散-氧化 镀镍-锡锅 焊接
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