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X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
1
作者
孙宝银
陈梦真
+1 位作者
朱樟震
伊福廷
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第3期176-178,共3页
阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上,采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30~40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。
关键词
镂空硅掩模
X射线
深层光刻
同步辐射
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职称材料
题名
X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
1
作者
孙宝银
陈梦真
朱樟震
伊福廷
机构
中国科学院微电子中心
中国科学院高能物理研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第3期176-178,共3页
文摘
阐述了X射线镂空硅掩模的研制及其在同步辐射深层光刻中的应用。在北京同步辐射国家实验室X射线光刻装置上,采用本文研制的X射线镂空硅掩模获得胶厚为30~40μm、侧壁很陡、边缘很直的X射线深层光刻胶图形。
关键词
镂空硅掩模
X射线
深层光刻
同步辐射
Keywords
Stencil silicon mask, X-ray, Deep lithography, Synchrotron radiation
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
X射线镂空硅掩模在同步辐射X射线深层光刻中的应用
孙宝银
陈梦真
朱樟震
伊福廷
《真空科学与技术》
CSCD
1995
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