基于脉冲激光沉积的新型镉离子薄膜传感器

采用用于镉离子选择电极的硫属玻璃（Cd-Ag-As-I-S）制备敏感材料,结合脉冲激光沉积技术与光寻址电位传感器的特点,在光寻址电位传感器表面上沉积对镉离子敏感的薄膜材料,研制了一种新型镉离子敏感薄膜传感器.该传感器基底为N型单晶硅片,金属接触层为Cr/Au.通过实验得出该传感器的检出下限为1.15×10^-7mol/L,响应时间小于2 min,适用溶液pH范围为4-7,具有测量快速灵活、所需样品少、测量下限低等特点.该传感器对干扰离子具有较好的抑制能力.该传感器采用交流光激发电流信号进行测量,相对于离子选择电极,灵敏度得到了提高.实验结果表明脉冲激光沉积方法是制备薄膜微型传感器的一种新的有效手段.

溅射薄膜压强传感器

技术开发单位中国航天科技集团公司航天动力技术研究院陕西电器研究所技术简介溅射薄膜压强传感器主要涉及溅射薄膜压强传感器敏感结构设计、金属纳米薄膜敏感芯体批量生产工艺及多功能智能信号处理技术等技术,其核心是敏感器件结构设计及其离子束溅射成型工艺.离子束溅射是采用低能加速器轰击,