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Cd_(0.9)Mn_(0.1)Te晶体生长及其缺陷分析
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作者 常永勤 谷智 +1 位作者 郭喜平 介万奇 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第4期14-19,共6页
采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CM... 采用Bridgman法和ACRT B法生长了两根Cd0 9Mn0 1Te晶锭 (简称CMT B和CMT A)。采用光学金相显微镜和扫描电镜研究了这两种方法生长的晶体中出现的各种缺陷 ,并分析了其形成机理。采用JEOL 733电子探针测定了两根晶锭中Mn的分布。对比CMT B和CMT A两根晶锭 ,发现ACRT所产生的对流可提高Cd0 9Mn0 展开更多
关键词 Cd1-xMnxTe BRIDGMAN法 ACRT-B法 微裂纹 位错 晶体生长 单晶 镉锰碲化合物 半导体材料 缺陷
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