钇钡铜氧(YBa_2Cu_3O_7)涂层超导用Ni基片上立方织构NiO缓冲层的制备

本研究完成了在具有立方织构的Ni基带上用外延生长法制备NiO缓冲层的工作。用此方法制成的NiO膜具有很强的立方织构 ,其 ( 111)的Φ扫描峰的最大半高宽 (FWHM )值达到 11°。这种NiO膜的形成为进一步溅射沉积具有双轴取向的YBa2

CAS玻璃釉对TaN薄膜电阻器功率影响研究

采用反应直流磁控溅射法在镍锌铁氧体基片上制备的TaN薄膜电阻器,由于镍锌铁氧体基片表面平整性差,散热性能低,制得的电阻器功率为1 W。通过制作CaO-Al2O3-SiO2(CAS)玻璃釉,以丝网印刷的方式对基片表面进行处理,再经过850℃烧结处理,得到具有一定表面平整性的基片。基于处理后的铁氧体基片制作的TaN薄膜功率电阻器的功率显著提高,从1 W提升到了2.5 W。

AlN薄膜对TaN薄膜电阻器功率影响研究

利用直流磁控溅射,在镍锌铁氧体基片上制作的TaN薄膜电阻器,受到铁氧体表面及内部结构特性差且导热系数低的影响,功率密度只能达到0.91 W/mm^2。利用射频磁控溅射,在铁氧体基片与薄膜电阻器间镀上1.5μm厚的AlN薄膜缓冲层,可有效改善基片的表面特性及散热能力。带AlN薄膜缓冲层的TaN薄膜电阻器的功率密度可达3.76 W/mm^2。