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添加剂对纳米压印模板光栅结构填充效果的改善作用
被引量:
1
1
作者
郑永广
张然
+1 位作者
刘泽
褚金奎
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期108-114,共7页
为改善电铸填充高深宽比纳米光栅结构时出现的空洞现象,本文向电铸液中添加平整剂健那绿,利用健那绿分子的静电吸附原理消除该工艺缺陷.结合纳米压印技术及电铸工艺,在柔性基底上完成了纳米压印镍模板的复制.复制过程中,首先通过热压将...
为改善电铸填充高深宽比纳米光栅结构时出现的空洞现象,本文向电铸液中添加平整剂健那绿,利用健那绿分子的静电吸附原理消除该工艺缺陷.结合纳米压印技术及电铸工艺,在柔性基底上完成了纳米压印镍模板的复制.复制过程中,首先通过热压将硅原始模板上的纳米光栅结构转移到聚合物基底上,制作出压印所需的软模板;然后采用溅射工艺在聚合物基底纳米结构表面沉积镍种子层并通过电铸工艺完成纳米光栅结构的填充及复制模板背板的生长;最后将铸层与聚合物基底进行分离.通过此工艺,成功复制了一块带有6个1.3mm×1.3mm纳米光栅区域的纳米压印镍模板,模板表面光栅周期为201nm,线宽98nm,深度104nm.与原始硅模板相比,复制模板特征尺寸偏差在5%以内,表明复制模板特征尺寸与相应原始模板特征尺寸之间有良好的一致性.热压实验后复制模板表面光栅结构周期无偏差,线宽偏差在2%以内,实验结果表明复制的纳米压印模板机械强度足以适用于热压过程.
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关键词
纳米压印
纳米光栅
电铸填充
健那绿
静电吸附
镍模板
高深宽比
下载PDF
职称材料
利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱
被引量:
1
2
作者
杨国锋
陈鹏
+8 位作者
于治国
刘斌
谢自力
修向前
韩平
赵红
华雪梅
张荣
郑有炓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期417-420,442,共5页
报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过...
报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。
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关键词
氮化镓
镍
纳米岛
模板
电感耦合等离子刻蚀
半极性面
氮化镓纳米柱
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职称材料
压印技术在PCB中的应用
被引量:
1
3
作者
周华梅
石新红
《电子工艺技术》
2020年第6期358-361,共4页
主要研究了压印技术在PCB中的应用,利用改良型半加成工艺(mSAP)制备金属镍模板,镍模板表面经过防黏处理,再进行压印、脱模,得到深度均匀的图形,最后再经过PCB常规去钻污、PTH、电镀、去面铜等工艺,制备出精度高、重复性好的线路图形。
关键词
镍模板
压印
PCB
线路图形
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职称材料
题名
添加剂对纳米压印模板光栅结构填充效果的改善作用
被引量:
1
1
作者
郑永广
张然
刘泽
褚金奎
机构
大连理工大学机械工程学院微系统研究中心
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018年第9期108-114,共7页
基金
国家自然科学基金(Nos.51675076
51505062)
+2 种基金
国家自然科学基金创新研究群体项目(No.51621064)
中央高校基本科研业务费(Nos.DUT17GF109
DUT16TD20)~~
文摘
为改善电铸填充高深宽比纳米光栅结构时出现的空洞现象,本文向电铸液中添加平整剂健那绿,利用健那绿分子的静电吸附原理消除该工艺缺陷.结合纳米压印技术及电铸工艺,在柔性基底上完成了纳米压印镍模板的复制.复制过程中,首先通过热压将硅原始模板上的纳米光栅结构转移到聚合物基底上,制作出压印所需的软模板;然后采用溅射工艺在聚合物基底纳米结构表面沉积镍种子层并通过电铸工艺完成纳米光栅结构的填充及复制模板背板的生长;最后将铸层与聚合物基底进行分离.通过此工艺,成功复制了一块带有6个1.3mm×1.3mm纳米光栅区域的纳米压印镍模板,模板表面光栅周期为201nm,线宽98nm,深度104nm.与原始硅模板相比,复制模板特征尺寸偏差在5%以内,表明复制模板特征尺寸与相应原始模板特征尺寸之间有良好的一致性.热压实验后复制模板表面光栅结构周期无偏差,线宽偏差在2%以内,实验结果表明复制的纳米压印模板机械强度足以适用于热压过程.
关键词
纳米压印
纳米光栅
电铸填充
健那绿
静电吸附
镍模板
高深宽比
Keywords
Nanoimprint
Nanograting
Electroforming filling
Janus Green B
Electrostatic adsorption
Nickel stamp
High-aspect-ratio
分类号
O436.3 [机械工程—光学工程]
下载PDF
职称材料
题名
利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱
被引量:
1
2
作者
杨国锋
陈鹏
于治国
刘斌
谢自力
修向前
韩平
赵红
华雪梅
张荣
郑有炓
机构
南京大学电子科学与工程学院江苏省光电功能材料重点实验室
南京大学扬州光电研究院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期417-420,442,共5页
基金
国家重点基础研究发展规划(2011CB301900)
国家高技术研究发展规划(2009AA03A198)
+10 种基金
国家自然科学基金(60990311
60721063
60906025
60936004
60731160628
60820106003)
江苏省自然科学基金(BK2008019
BK2010385
BK2009255
BK2010178)
南京大学扬州光电研究院研发基金(200800X)
文摘
报道了在GaN表面以Ni纳米岛结构作为模板,利用电感耦合等离子(ICP)刻蚀制备GaN纳米柱的研究结果。原子力显微镜(AFM)测试结果表明,金属Ni薄膜在快速热退火(RTA)作用下形成了平均直径和高度大约分别为325 nm和70 nm的纳米岛状结构。通过电子扫描显微镜(SEM)照片看出,以GaN表面所形成的Ni纳米岛作为模板图形,通过控制ICP刻蚀时间,在一定的刻蚀时间内(2 min)获得有序的并拥有半极性晶面的GaN纳米柱阵列。这种新颖的半极性GaN纳米柱作为氮化物量子阱或者超晶格结构的生长模板,可以有效减小甚至消除极化效应,提高光电子器件的效率和性能。
关键词
氮化镓
镍
纳米岛
模板
电感耦合等离子刻蚀
半极性面
氮化镓纳米柱
Keywords
GaN
Ni nano-island mask
inductively coupled plasma(ICP)etching
semipolar plane
GaN nanocolumn
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
压印技术在PCB中的应用
被引量:
1
3
作者
周华梅
石新红
机构
上海美维科技有限公司
出处
《电子工艺技术》
2020年第6期358-361,共4页
文摘
主要研究了压印技术在PCB中的应用,利用改良型半加成工艺(mSAP)制备金属镍模板,镍模板表面经过防黏处理,再进行压印、脱模,得到深度均匀的图形,最后再经过PCB常规去钻污、PTH、电镀、去面铜等工艺,制备出精度高、重复性好的线路图形。
关键词
镍模板
压印
PCB
线路图形
Keywords
nickel template
imprint
PCB
circuit
分类号
TN605 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
添加剂对纳米压印模板光栅结构填充效果的改善作用
郑永广
张然
刘泽
褚金奎
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2018
1
下载PDF
职称材料
2
利用Ni纳米岛模板制备半极性晶面GaN纳米柱
杨国锋
陈鹏
于治国
刘斌
谢自力
修向前
韩平
赵红
华雪梅
张荣
郑有炓
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
下载PDF
职称材料
3
压印技术在PCB中的应用
周华梅
石新红
《电子工艺技术》
2020
1
下载PDF
职称材料
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