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镍离子注入修饰电极上米托蒽醌与DNA相互作用的电化学研究 被引量:18
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作者 胡劲波 尚军 李启隆 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期749-753,共5页
研究了在镍离子注入修饰电极和 0 .0 5mol/L Tris-0 .5mol/L Na Cl缓冲溶液 (p H=7.1 )中 ,米托蒽醌(MX)与 DNA作用的电化学 .在 3 7℃恒温 1 .5h条件下 ,MX与 DNA形成一种非电活性的结合物 ,使 MX峰电流降低 ,其结合比 n(MX)∶n(DNA) =... 研究了在镍离子注入修饰电极和 0 .0 5mol/L Tris-0 .5mol/L Na Cl缓冲溶液 (p H=7.1 )中 ,米托蒽醌(MX)与 DNA作用的电化学 .在 3 7℃恒温 1 .5h条件下 ,MX与 DNA形成一种非电活性的结合物 ,使 MX峰电流降低 ,其结合比 n(MX)∶n(DNA) =2∶ 1 ,结合常数为 1 .61× 1 0 12 ,电子转移系数为 0 .4 1 ,电极反应速率常数 0 .3 3 s-1.加入 DNA后 ,MX峰电流降低 ,据此 ,可以测定 DNA. 展开更多
关键词 米托蒽醌 DNA 电化学行为 相互作用 抗癌药 注入修饰电极
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镍增进无定形硅低温固相外延生长
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作者 曹德新 朱德彰 +1 位作者 朱福英 曹建清 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期79-82,共4页
离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下,促使无定形层硅在低温(430℃)时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为1×1012-2.5×1017Ni/cm2。卢瑟福背散射和沟道(RBS-C)测量表明,... 离子注入形成的无定形硅在可形成硅化物杂质镍作用下,促使无定形层硅在低温(430℃)时发生了固相外延生长。注入杂质镍浓度为1×1012-2.5×1017Ni/cm2。卢瑟福背散射和沟道(RBS-C)测量表明,6个量级剂量注入并经430℃退火后的样品都发生了不同程度的固相外延生长,且比通常固相外延生长约加快了二个数量级,其外延生长速度与镍浓度相关。 展开更多
关键词 固相外延生长 镍注入 无定形层 半导体
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离子注入与α辐射对氧化铝热释光的作用 被引量:4
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作者 李虎侯 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期427-231,共1页
利用Al2 O3晶体的热释光特征比较了镍离子注入与α辐射在晶体中的作用。进一步证明了α辐射对Al2 Ο3晶体的作用以离子取代为主。
关键词 热释光 年龄测定 离子注入 氧化铝 矿物
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经热扩散处理的注镍钛电极的析氢反应研究
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作者 张季爽 王蓉晖 +2 位作者 吕瑶姣 杨进全 冯汉明 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第10期1124-1125,共2页
将高能离子注入电极表面可引入催化活性元素,进而能形成大量的活性中心,提高催化活性,作者将镍离子注入钛电极,结果使析氢过电位降低245 mV,比未注镍的钛电极的活性高得多。实验表明,电极的催化活性随表面镍浓度的增加而提高。
关键词 钛电极 离子注入 热扩散 电催化
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透射电镜原位研究Ni纳米晶粒成核生长
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作者 蒋昌忠 陈海波 +1 位作者 石英 付强 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期623-624,共2页
关键词 NI 纳米晶粒 成核生长 离子注入 衬底材料 原位透射电镜
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Research on Surface Modification of 96 Al_2O_3 by Ni Ion Implantation 被引量:2
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作者 WANG Xiao-hong SUN Zhi ZHU Xin WANG Zhen-zhong 《Journal of China University of Mining and Technology》 EI 2006年第3期261-265,共5页
A matrix of 96 Al2O3 ceramics was implanted with Ni ion of different dosages and energies using a MEVVA implanter. Then metallic structures of copper were made on the implanted ceramics, by using selective electroless... A matrix of 96 Al2O3 ceramics was implanted with Ni ion of different dosages and energies using a MEVVA implanter. Then metallic structures of copper were made on the implanted ceramics, by using selective electroless copper plating. In addition, the characteristics and microstructure of the implanted layer were studied by using the SEM, RBS and XPS. The results show that: 1) the implanted Ni exits as Ni^2, Ni^2+, and Ni^3+ in the surface of Al2O3 and metal Ni particles precipitate on ceramics during implantation; 2) the concentration of Ni submits to the Gauss distribution along the direction of implantation on the surface of Al2O3 and high Ni concentration on the surface can be obtained if the Ni is implanted with low energy and a high dosage and 3) Ni ion implantation can activate the surface of Al2O3 and induce electroless copper plating on the ceramics. 展开更多
关键词 ion implantation Al2O3ceramics NI chemical states
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《电镀与精饰》2010年第3期
7
《表面工程资讯》 2010年第1期49-49,共1页
镍离子注入Al2O3化化学镀铜帕基体结合特征。
关键词 《电镀与精饰》 AL2O3 离子注入 化学镀铜 吸附性能 三价格 腐植酸 基体
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