镍衬底上定向金刚石膜的成核与生长

提出了一种包括晶粒接种、高温退火、成核、生长四过程的薄膜沉积新方法 ,用射频等离子体增强热丝化学气相沉积系统 ,在Ni衬底上制备了定向金刚石膜。通过对成核和生长两过程工艺条件的研究 ,掌握了提高成核密度和金刚石定向生长规律。实验还表明 ,膜与Ni衬底之间未见Ni C

RAMAN谱研究在退火和镍衬底上金刚石形核中甲烷的影响(英文)

藉助SEM和MICRO RAMAN ,我们研究了在退火和在镍衬底上金刚石形核中甲烷CH4 的影响。CH4 的浓度分别为 0 % ,0 5 % ,1 5 %和 2 5 % ,其中当甲烷浓度为 1 5 %时 ,金刚石在镍衬底上金刚石形核密度为 3× 1 0 8/cm2 ,这个结果高于以前的结果。金刚石膜的质量是好的。

衬底对沉积碳纳米管薄膜的影响

利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,分别在不锈钢衬底上和刻线的镍膜上直接沉积了碳纳米管膜。通过SEM、拉曼光谱和XRD表征,讨论了不同衬底对碳纳米管膜生长的影响。结果表明:在一定条件下,可在镍膜上沉积垂直于衬底的高度取向的碳纳米管,但在不锈钢衬底上却长出取向无序的碳纳米管膜,这说明衬底对碳纳米管的取向生长起着关键作用。

高分子辅助沉积法在镍基片上制备的钛酸钡薄膜的漏电机制

采用高分子辅助沉积法在多晶镍衬底上,以氧化镍作为缓冲层,生长了多晶钛酸钡(BaTiO3,BTO)薄膜。对其漏电特性测试及分析发现,在测试电压区间和极性不同时,分别具有不同的漏电机制,可分别用Frankel-Pool emission,space charge limited current(SCLC)与Schottky emission等机制来描述。由于界面缓冲层分解以及界面扩散等原因,BTO/Ni界面呈现Ohmic接触,而Au/BTO界面呈现Schottky势垒接触。通过测量不同温度下的漏电流大小,得到Au/BTO界面的有效势垒为0.32eV,从而得到Au/BTO/Ni能带结构图。利用一阶线性电路模型对其界面电阻与体电阻进行计算,得到的界面电阻与体电阻大小及变化趋势与实验及理论相符合。