Ta/NiFe和NiFe/Ta界面反应和“死层”现象的研究

Ta/Ni81Fe19和Ni81Fe19/Ta被广泛应用于磁电阻多层膜结构中。我们发现 ,在Ta/Ni81Fe19/Ta薄膜结构中 ,磁性“死层”的厚度大约为 1 6± 0 2nm。用X射线光电子能谱和图谱拟合技术研究Ta/Ni81Fe19和Ni81Fe19/Ta的界面成分和化学状态发现 ,在两上界面处都发生了反应 :2Ta +Ni=NiTa2 ,因此NiFe的有效厚度减少。利用这个反应也可以合理解释用分子束外延制备的自旋阀多层膜比用磁控溅射制备的自旋阀多层膜的“死层”