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开管镓扩散技术改善快速晶闸管通态特性 被引量:4
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作者 裴素华 薛成山 赵善麒 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期268-271,共4页
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne/Nb,降低器件通态压降进行了理论分析;叙述了开管Ga扩散技术的特点,并与闭管Ga扩散和B-A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明,用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管,可明显改善器件... 对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne/Nb,降低器件通态压降进行了理论分析;叙述了开管Ga扩散技术的特点,并与闭管Ga扩散和B-A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明,用开管Ga扩散工艺制造快速晶闸管,可明显改善器件的通态伏安特性。 展开更多
关键词 晶闸管 开管 镓扩散 快速晶闸管 通态特性
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开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用 被引量:2
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作者 裴素华 薛成山 赵善麒 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期940-944,共5页
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法,用于各类晶闸管的制造,使器件具有触发参数一致性好,通态特性优良,dv/dt、di/dt耐量高等特点.实践证明。
关键词 电力半导体器件 开管镓扩散系统 应用
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用SIMS等技术表征镓扩散质量
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作者 任云珠 曹永明 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期7-8,共2页
介绍用SIMS、TEM、SRP等技术检测Ga扩散杂质分布及工艺中存在的问题,提供改进工艺的技术依据。
关键词 半导体器件 镓扩散
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开管铝镓扩散的掺杂机制
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作者 刘秀喜 薛成山 +2 位作者 孙瑛 王显明 赵富贤 《半导体杂志》 1996年第3期30-34,共5页
针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术。
关键词 工艺方法 铝双质扩散 掺杂机制 晶闸管
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镓铝扩散产生表面层缺陷的机理及处理措施
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作者 刘秀喜 《山东师范大学学报(自然科学版)》 CAS 1997年第2期149-152,共4页
针对铝乳胶源涂布与气相Ga杂质相结合的受主双质掺杂技术,分析了产生表面层缺陷的原因。
关键词 受主双质掺杂 表面层缺陷 位错 晶闸管 扩散
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p型扩散区(SiO_2/Si系扩Ga)的俄歇分析 被引量:1
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作者 孙瑛 王凤英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1088-1092,共5页
采用Ga在SiO2 /Si系扩散途径 ,对扩Ga硅片进行了俄歇分析 ,在p型区未发现重金属杂质 ,表明热氧化SiO2层对外来重金属有良好的屏蔽作用 ,而且有利于提高硅器件的电参数性能、稳定性和可靠性 .
关键词 SiO2/Si系扩Ga SiO2层 镓扩散 重金属杂质 俄歇分析
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一种高压大电流半导体放电管的研究 被引量:1
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作者 唐政维 向导 张盼盼 《重庆邮电大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2013年第5期634-638,共5页
针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃... 针对常规半导体放电管在超大浪涌电流作用下,易局部过热而损坏这一问题,采用镓闭管扩散代替硼扩散、台面工艺解决二氧化硅不能掩蔽镓扩散所带来的问题、玻璃钝化工艺实现高压结面保护等方法。实验结果表明,通过镓扩散、台面刻槽、玻璃钝化和钛镍银多层金属化等工艺,提高了放电管的启动保护电压和最大浪涌电流,其最大浪涌电流达到6 kA,比设计值5 kA提高了20%。 展开更多
关键词 高压大电流 半导体放电管 镓扩散 台面工艺 玻璃钝化
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Influence of In-N Clusters on Band Gap Energy of Dilute Nitride In_xGa_(1-x)N_yAs_(1-y)
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作者 赵传阵 郭恒飞 +2 位作者 陈力颖 唐春晓 卢克清 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2016年第5期635-638,共4页
The In-N clusters form in the dilute nitride InxGa1-xNy As1-yalloys after annealing.It is found that the formation of the In-N clusters not only raises the N levels lying above the conduction band minimum(CBM)of In Ga... The In-N clusters form in the dilute nitride InxGa1-xNy As1-yalloys after annealing.It is found that the formation of the In-N clusters not only raises the N levels lying above the conduction band minimum(CBM)of In GaA s,but also raises the N levels below the CBM of In GaA s,leading to the variation of the impurity-host interaction.The blueshift of the band gap energy is relative to the variation of the impurity-host interaction.In order to describe the blueshift of the band gap energy due to the formation of the In-N clusters,a model is developed.It is found that the model can describe the blueshift of the band gap energy well.In addition,it is found the blueshift of the band gap energy due to the atom interdiffusion at the interface can be larger than that due to the formation of the In-N clusters. 展开更多
关键词 InG a NAs In-N clusters blueshift annealing
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