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GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长
被引量:
1
1
作者
陈敦军
毕朝霞
+9 位作者
沈波
张开骁
顾书林
张荣
施毅
胡立群
郑有炓
孙学浩
万寿科
王占国
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期782-784,共3页
用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分...
用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分的GaN1-xPx 样品进行了低温光致发光 (PL)测试 ,与来自GaN衬底的带边发射相比 ,随三元合金中P组分的变化 ,GaN1-xPx 的PL峰呈现出了不同程度的红移 .在GaN1-xPx 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰 ,表明该合金材料没有发生相分离 .
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关键词
三元
合金
MOCVD
化学态
红移
镓氮磷合金
气相沉积
下载PDF
职称材料
题名
GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长
被引量:
1
1
作者
陈敦军
毕朝霞
沈波
张开骁
顾书林
张荣
施毅
胡立群
郑有炓
孙学浩
万寿科
王占国
机构
南京大学物理系
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002年第7期782-784,共3页
基金
国家重点基础研究专项 (编号 :G2 0 0 0 0 6 83)
国家自然科学基金 (批准号 :6 0 136 0 2 0
+2 种基金
6 9976 0 14
6 99870 0 1)
国家高技术研究发展计划资助项目~~
文摘
用金属有机化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上成功外延了高P组分的GaN1-xPx 三元合金 .俄歇电子能谱深度剖面结果表明在GaN1-xPx 中P的掺入量最高达到 2 0 %且分布均匀 ;X射线光电子能谱价态分析证实了外延层中Ga—P键的存在 .对不同P组分的GaN1-xPx 样品进行了低温光致发光 (PL)测试 ,与来自GaN衬底的带边发射相比 ,随三元合金中P组分的变化 ,GaN1-xPx 的PL峰呈现出了不同程度的红移 .在GaN1-xPx 的PL谱中没有观测到有关GaP的发射峰 ,表明该合金材料没有发生相分离 .
关键词
三元
合金
MOCVD
化学态
红移
镓氮磷合金
气相沉积
Keywords
in situ composite
microstructure
mechanical properties
reinforcement mechanism
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
GaN_(1-x)P_x三元合金的MOCVD生长
陈敦军
毕朝霞
沈波
张开骁
顾书林
张荣
施毅
胡立群
郑有炓
孙学浩
万寿科
王占国
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2002
1
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