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间歇反应过程的智能控制系统 被引量:8
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作者 田华 席裕庚 张钟俊 《系统工程与电子技术》 EI CSCD 1995年第4期73-80,共8页
本文为间歇反应过程的智能控制系统提出了一种框架,对其中各部分作了详细分析。并由此抽象出来,为一般性的智能控制系统建立了基本概念和结构模型。
关键词 间歇反应过程 智能控制系统 控制系统 镓砷化物
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HF/CrO_3溶液对AlGaAs的选择性湿法刻蚀应用于楔型结构的制备 被引量:2
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作者 黄辉 黄永清 +3 位作者 任晓敏 高俊华 罗丽萍 马骁宇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期208-212,共5页
利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As... 利用动态掩膜腐蚀技术 ,研究了 HF/ Cr O3腐蚀液对各种不同组分的 Alx Ga1 - x As(x =0 .3,0 .5 ,0 .6 5 )的腐蚀速率及腐蚀表面形貌 .随着 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比由 0 .0 1变化到 0 .138,相应的腐蚀液对 Al0 .8-Ga0 .2 As/ Al0 .3Ga0 .7As的选择性由 179降到 8.6 ;通过调节腐蚀液的选择性 ,在 Al0 .3Ga0 .7As外延层上制备出了倾角从 0 .32°到 6 .6 1°的各种斜面 .当 HF(48wt% ) / Cr O3(33wt% )的体积比为 0 .0 2 8时 ,Al组分分别为 0 .3、0 .5和 0 .6 5时 ,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为 1.8、9.1和 19.3nm.另外 。 展开更多
关键词 制备 楔形结构 镓砷化物 选择性湿法刻蚀 HF-CrO3溶液
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