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GaAlAs LED液相外延生产关键技术研究成果、专利及产业化前景预测
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作者 赵景泉 《材料导报》 EI CAS CSCD 2001年第2期22-22,共1页
1 取得的成果 (1)LED早期光衰问题的解决 由于GaAlAs的铝组分含量高,器件的早期光衰严重,在室温20mA工作电流下,96h后,发光强度平均哀减20％,严重影响器件的市场开发。 通过调整铝组分和工艺条件,提高保护气体纯度等方法,解决了此问题。... 1 取得的成果 (1)LED早期光衰问题的解决 由于GaAlAs的铝组分含量高,器件的早期光衰严重,在室温20mA工作电流下,96h后,发光强度平均哀减20％,严重影响器件的市场开发。 通过调整铝组分和工艺条件,提高保护气体纯度等方法,解决了此问题。 (2) 展开更多
关键词 LED 发光二极管 镓铝砷化合物半导体 液相外延生长技术
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