GaInNAs/GaAs量子阱的光致发光谱和光调制反射谱

研究了 Ga In NAs/Ga As多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光 (PL )谱以及光调制反射 (PR)谱 .发现 PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足 Varshni关系 ,而是呈现出反常的 S型温度依赖关系 .进一步测量 ,特别是在较低的激发光功率密度下 ,发现有两个不同来源的发光峰 ,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光 .随温度变化 ,这两个发光峰相对强度发生变化 ,造成主峰 (最强的峰 )的位置发生切换 ,从而导致表观上的 S型温度依赖关系 .

新型材料InGaNAs的生长与应用前景

详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。