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半磁半导体材料GaMnAs 被引量：4
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作者 刘芳芳 杨瑞霞 +1 位作者 刘立浩 申华军 《河北工业大学学报》 CAS 2002年第6期35-42,共8页
利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现... 利用低温分子束外延技术(LT-MBE)制备的GaMnAs是一种新型的半磁半导体材料(DMS),它兼有磁性材料和半导体化合物的特点.系统地介绍了GaMnAs材料的结构、制备、居里温度、磁畴、磁矩、磁性质及几种多层异质结构,并对GaMnAs材料的应用、现状及前景作了简单的概括与分析. 展开更多
关键词 GAMNAS 半磁半导体 居里温度 磁畴 磁矩 磁性质 DMS 镓锰砷化合物 低温分子束外延 结构
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