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硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究 被引量:26
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作者 刘玉岭 刘钠 曹阳 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期85-89,共5页
提出了新抛光硅片镜面吸附物吸附动力学过程和优先吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理。
关键词 硅片 单晶硅 镜面吸附物 吸附状态
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