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硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究
被引量:
26
1
作者
刘玉岭
刘钠
曹阳
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期85-89,共5页
提出了新抛光硅片镜面吸附物吸附动力学过程和优先吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理。
关键词
硅片
单晶硅
镜面吸附物
吸附
状态
下载PDF
职称材料
题名
硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究
被引量:
26
1
作者
刘玉岭
刘钠
曹阳
机构
河北工业大学
北京石化工程公司
北京汽车总公司
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第2期85-89,共5页
文摘
提出了新抛光硅片镜面吸附物吸附动力学过程和优先吸附数学模型及吸附物吸附状态控制机理。
关键词
硅片
单晶硅
镜面吸附物
吸附
状态
Keywords
Silicon wafer, Adsorption, Mathematical model, Kinetics
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
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作者
出处
发文年
被引量
操作
1
硅单晶片镜面吸附物吸附状态的研究
刘玉岭
刘钠
曹阳
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
26
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职称材料
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