用于高亮LED的Si键合研究

在Si和外延层之间使用一层薄金属层作为高效反射镜的所谓"镜面衬底",不但有助于提高芯片的出光效率,同时把键合温度降低到300℃以下。利用Au/In合金的方法,来实现用于高亮LED的Si片与AlGaInP四元外延片的键合。实验表明,在温度为250℃时,利用Au/In作为焊料,Si片与AlGaInP四元外延片可以实现比较好的键合,键合面可以达到60%。通过研磨减薄、X-ray测试和扫描电镜(SEM)测试得出键合面的界面特性,通过能谱分析得出键合面的物质分别为AuIn2和AuIn,实验测试得出此时Au的原子数占33.31%,In的原子数占36.64%。

AlGaInP基薄膜发光二极管芯片生产工艺技术

介绍公司研发和生产AlGaInP薄膜RS系列LED芯片产品产业化技术现状。通过采用多项先进工艺和质量控制技术,产业化生产的RS-LED外延片和芯片具有良好的性能及可靠性。其中RS-LED芯片产品通过采用全方位反射镜、衬底转移、金属键合和表面粗糙化等关键工艺技术,实现了良好的大电流特性和电流扩展性能,亮度指标大幅提升,红光RS-LED芯片最高亮度达550mcd,Au-To封装后器件光通量可达3.5lm。针对RS-LED芯片生产工艺的特点,探讨了产业化生产的关键工序、生产过程质量控制点以及质量控制关键参数等,提出了切实有效的生产过程质量控制方法,并付诸实践。