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直接感光法制备锆钛酸铅镧薄膜图形及其性能
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作者 张卫华 石春梅 +2 位作者 袁媛 赵高扬 盛淑月 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1189-1193,共5页
采用化学修饰溶胶凝胶工艺,以PVP为薄膜开裂抑制剂,以苯酰丙酮为化学修饰剂,利用其与金属盐形成的配位螯合物结构,合成了具有紫外光感应特性的锆钛酸铅镧(Pb0.91La0.09(Zr0.65Ti0.35)O3,PLZT)前驱溶胶;对单次提拉得到的凝胶薄膜进行直... 采用化学修饰溶胶凝胶工艺,以PVP为薄膜开裂抑制剂,以苯酰丙酮为化学修饰剂,利用其与金属盐形成的配位螯合物结构,合成了具有紫外光感应特性的锆钛酸铅镧(Pb0.91La0.09(Zr0.65Ti0.35)O3,PLZT)前驱溶胶;对单次提拉得到的凝胶薄膜进行直接感光法图形制备;通过后续热处理,在Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上得到了具有钙钛矿结构的PLZT薄膜图形,其最终热处理后的膜厚约为260nm,剩余极化强度约为6.7μC/cm2,矫顽场强约为77kV/cm,相对介电常数约为356,介电损耗约为0.02,漏电流密度小于10-2μA/cm2,极化疲劳特性可达107以上. 展开更多
关键词 钛酸薄膜 溶胶凝胶 微细图形 感光性
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热分解法制备钛酸铅镧薄膜及其电性能研究
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作者 孙平 张良莹 姚熹 《微细加工技术》 1995年第2期38-45,共8页
本文研究了用金属有机物热分解法(MOD)制备PLT8薄膜的工艺过程和基片对薄膜结构的影响,并且给出了铁电性能的测量结果。在单晶硅、微晶玻璃、蓝宝石以及LiNbO_3等基片上用MOD法制备了无裂纹,纯钙铁矿相的PLT8... 本文研究了用金属有机物热分解法(MOD)制备PLT8薄膜的工艺过程和基片对薄膜结构的影响,并且给出了铁电性能的测量结果。在单晶硅、微晶玻璃、蓝宝石以及LiNbO_3等基片上用MOD法制备了无裂纹,纯钙铁矿相的PLT8薄膜。薄膜可以形成两种钙钛矿结构;一种是在较低温度下(52℃)结晶的假立方相,初步测定;另一种是高温下完成晶型转变的四方相,采用Y127°切割的LiNbO_3基片,可以制备出具有强烈(101)取向的PLT8薄膜。薄膜呈假立方相时仍具有良好的铁电性,经测量P_s=11.4μC/cm ̄2,E_c=90kV/cm(50Hz)。 展开更多
关键词 钛酸薄膜 热分解法 电性能 薄膜
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铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究 被引量:6
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作者 侯识华 宋世庚 +1 位作者 马远新 郑毓峰 《材料科学与工程》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期43-47,共5页
采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )... 采用Sol Gel法 ,在Pt TiO2 Si基片上制备了具有不同铅过量 (0— 2 0mol% )的PLZT铁电薄膜。分析了薄膜的晶相结构 ,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响。结果表明 ,各薄膜均具有钙钛矿型结构 ,且各薄膜均呈 (110 )择优取向。PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变。铅过量为 10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能。 展开更多
关键词 SOL-GEL法 PLZT 铁电薄膜 过量 电学性质 钛酸薄膜 介电性能 铁电性能 制备
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LSMCD法制备纳米(Pb,La)TiO_3薄膜 被引量:3
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作者 李海燕 张之圣 胡明 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第6期88-91,共4页
研究了利用液态源雾化化学沉积 (LSMCD)法制备纳米 (Pb ,La)TiO3 薄膜的工艺。XRD和SEM分析表明 :沉积 4次 ,采用RCA热处理 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基板上成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约 6 0nm、厚度约 180nm的纳米颗粒PLT薄膜。该... 研究了利用液态源雾化化学沉积 (LSMCD)法制备纳米 (Pb ,La)TiO3 薄膜的工艺。XRD和SEM分析表明 :沉积 4次 ,采用RCA热处理 ,在Pt/Ti/SiO2 /Si基板上成功制备出具有钙钛矿结构的、晶粒粒径约 6 0nm、厚度约 180nm的纳米颗粒PLT薄膜。该方法既可以较精确的控制薄膜的化学计量比及掺杂浓度 ,又可采用控制超声雾化沉积的时间和次数来有效的控制膜厚及晶粒的大小。该工艺的沉积速率约为 3nm/min。 展开更多
关键词 液态源雾化化学沉积 纳米镧钛酸铅薄膜 X射线衍射 扫描电镜 化学计量比 掺杂浓度
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循环间歇溅射工艺对PLT薄膜性能的影响
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作者 孙明霞 钟朝位 +3 位作者 张树人 张万里 陈祝 郑泽渔 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2006年第1期82-84,共3页
采用射频磁控溅射技术利用循环间歇溅射工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了镧钛酸铅(PLT)薄膜。通过原子力显微镜、X-射线衍射仪分析了循环间歇溅射工艺对薄膜形貌、结构和铁电性能的影响。实验结果表明,相比于连续溅射工艺,循环间歇... 采用射频磁控溅射技术利用循环间歇溅射工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了镧钛酸铅(PLT)薄膜。通过原子力显微镜、X-射线衍射仪分析了循环间歇溅射工艺对薄膜形貌、结构和铁电性能的影响。实验结果表明,相比于连续溅射工艺,循环间歇溅射工艺的基片温度较低,且制得的PLT薄膜晶粒细小、均匀,结构致密。薄膜具有纯钙钛矿型结构,循环次数从1次增加到3次,其(100)和(200)峰衍射强度逐渐增强,结晶性提高,铁电性能逐渐增强,其饱和极化强度由28μC/cm2增大到53μC/cm2,剩余极化强度由5μC/cm2增大到12μC/cm2。循环4次溅射后,薄膜的结晶性和铁电性开始下降。 展开更多
关键词 射频磁控溅射 循环间歇溅射 镧钛酸铅薄膜 铁电性能
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Pb过量和种子层对PLZT薄膜的影响 被引量:1
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作者 刘立 何剑 +3 位作者 张鹏 王二伟 胡磊 丑修建 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2017年第1期121-125,共5页
采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备不同Pb过量(未过量、10%、15%)和引入不同厚度(0、100nm、500nm)锆钛酸铅(PZT)缓冲层的锆钛酸铅镧(PLZT)反铁电薄膜,通过原子力显微镜、X线衍射表征分析薄膜的微观结构。结果表明,过... 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备不同Pb过量(未过量、10%、15%)和引入不同厚度(0、100nm、500nm)锆钛酸铅(PZT)缓冲层的锆钛酸铅镧(PLZT)反铁电薄膜,通过原子力显微镜、X线衍射表征分析薄膜的微观结构。结果表明,过量10%的Pb组分有助于形成钙钛矿结构,获得较大的晶粒尺寸和理想的粗糙度;100nm的PZT缓冲层的引入有利于PLZT薄膜晶化,形成较致密、结晶状况良好的薄膜。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 钙钛矿结构 钛酸(PLZT)薄膜 缓冲层.
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热处理对不加热ITO/玻璃基底上沉积的PLZT铁电薄膜结构转变的影响
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作者 蒋生蕊 王君 魏智强 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期30-35,共6页
采用射频磁控溅射技术在不加热ITO/玻璃衬底上制备了PLZT( 9/ 5 2 / 48)铁电薄膜 .X射线衍射分析表明溅射气氛中φ(O2 )∶φ(Ar)为 3∶7的膜在PbO保护下 ,6 2 5℃热处理 15 0min后完全形成钙钛矿相的PLZT ,不存在第 2相 ,介电常数ε为 1... 采用射频磁控溅射技术在不加热ITO/玻璃衬底上制备了PLZT( 9/ 5 2 / 48)铁电薄膜 .X射线衍射分析表明溅射气氛中φ(O2 )∶φ(Ar)为 3∶7的膜在PbO保护下 ,6 2 5℃热处理 15 0min后完全形成钙钛矿相的PLZT ,不存在第 2相 ,介电常数ε为 12 2 4.XPS表面成分分析及深度分析表明 :PbO保护气氛中热处理不仅可以防止失铅 ,而且还可以弥补在制膜过程中失去的铅 .用改进的Sawyer -Tower电路测量了薄膜的电滞回线 ,并获得剩余极化强度为 17.7μC/cm2 、矫顽场为 2 4. 展开更多
关键词 钛酸铁电薄膜 结构转变 热处理 ITO 玻璃基底 沉积 PLIT
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ITO/PLZT薄膜湿法刻蚀研究 被引量:7
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作者 闻伟 杨传仁 +3 位作者 张继华 陈宏伟 梁鸿秋 张瑞婷 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第6期745-746,750,共3页
介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图... 介绍了一种锆钛酸铅镧(PLZT)基铟锡氧化物(ITO)薄膜的湿法刻蚀法。用V(HCl)∶V(HNO3)∶V(H2O)=50∶3∶50的混合溶液对ITO进行不同温度的刻蚀试验。通过扫描电子显微镜(SEM)和X-射线能谱仪(EDS)分析表明,在35℃经30 nm/min刻蚀能得到图形边缘质量良好和表面无残留物的ITO图形;在同等条件下刻蚀的PLZT薄膜,刻蚀速率不及ITO的2%,表明该刻蚀方法具有良好的选择性。 展开更多
关键词 铟锡氧化物(ITO)薄膜 钛酸(PLZT)薄膜 湿法刻蚀 图形化
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PLZT薄膜的溅射沉积和热处理
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作者 雷永明 徐梅娣 郭懋端 《上海工程技术大学学报》 CAS 1999年第4期243-246,共4页
用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT(5/65/35)和(9/65/35)。初生态薄膜主要是非晶态,所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相... 用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧(PLZT)薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT(5/65/35)和(9/65/35)。初生态薄膜主要是非晶态,所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相和钙钛矿相的转变,实验表明氧气氛下由常规退火(LFA)和快速退火(RTA)可形成钙钛矿相PLZT薄膜。 展开更多
关键词 溅射沉积 热处理 PLZT薄膜 磁控射频溅射 钙钛矿相 退火 钛酸陶瓷薄膜 铁电薄膜
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Preparation of Nano-Particles (Pb,La)TiO_3 Thin Films by Liquid Source Misted Chemical Deposition
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作者 张之圣 曾建平 李小图 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2004年第1期59-62,共4页
Nano particles lanthanum modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO 2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and then annealed at v... Nano particles lanthanum modified lead titanate (PLT) thin films are grown on Pt/Ti/SiO 2/Si substrate by liquid source misted chemical deposition (LSMCD). PLT films are deposited for 4-8 times, and then annealed at various temperature. XRD and SEM show that the prepared films have good crystallization behavior and perovskite structure. The crystallite is about 60 nm. The deposition speed is 3 nm/min. This deposition method can exactly control stoichiometry ratios, doping concentration ratio and thickness of PLT thin films. The best annealing process is to bake at 300 ℃ for 10 min and anneal at 600 ℃ for 1 h. 展开更多
关键词 制备工艺 纳米修正钛酸薄膜 液体雾化化学沉积 LSMCD PLT 结晶过程 半导体
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