-
题名镨掺杂对锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响
- 1
-
-
作者
王俐聪
孙清池
高正虹
刘涛
孙琳
-
机构
天津大学理学院
天津大学材料科学与工程学院
-
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2003年第1期30-32,共3页
-
基金
天津大学高温结构陶瓷及工程陶瓷加工技术教育部重点实验室
国家自然科学基金资助项目(59906008)
-
文摘
用固相反应法制备了镨掺杂锆钛酸铅(PZT)压电陶瓷,研究了镨掺杂对材料性能的影响。样品是在锆钛比为变量,镨含量为3%(摩尔比),制备工艺相同的条件下进行的。对其压电和介电性能测试结果表明:与未掺杂PZT相比,掺镨后的PZT相界发生了移动,即移向了富锆的一端,其在锆钛比约为1.17~1.27之间;居里温度TC随锆钛比的增加而降低,在本研究的系统内,锆钛比最小和最大时分别为1.04和1.50,其相应的居里温度分别为330°C和278°C;压电系数d33、机电耦合系数kp及介电常数ε/ε0均在1.17处达最大值,d33=420pC/N,kp=0.53;极化前的ε/ε0达1400,极化后εT33/ε0达2000;介电损耗tanδ随锆钛比的增加呈上升趋势,而机械品质因数Qm大幅度下降,在锆钛比为1.17处达最小值75。
-
关键词
压电陶瓷
锆钛酸铅
镨参杂
压电性能
介电性能
-
Keywords
PZT
Pr doping
piezoelectric properties
dielectric properties
-
分类号
TM282
[一般工业技术—材料科学与工程]
-