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半空间方法在检测基片镶嵌缺陷粒子中的应用
1
作者
巩蕾
高明
吴振森
《西安工业大学学报》
CAS
2012年第10期795-799,共5页
为了更好地诊断出基片无损检测工作中缺陷粒子姿态的详细信息,使用三波技术给出了半空间问题相应的连接边界条件,利用互易性定理简化近远场外推中的场变换过程,给出了一种有效的计算基片与镶嵌缺陷粒子散射方法.在数值计算中与矩量法(M...
为了更好地诊断出基片无损检测工作中缺陷粒子姿态的详细信息,使用三波技术给出了半空间问题相应的连接边界条件,利用互易性定理简化近远场外推中的场变换过程,给出了一种有效的计算基片与镶嵌缺陷粒子散射方法.在数值计算中与矩量法(MOM)进行了比较,得到了p偏振和s偏振下镶嵌Cu和SiO2球体缺陷粒子的微分散射截面和电场分布.研究结果表明:介质缺陷的微分散射截面的值小于同条件下金属缺陷粒子的值.在应用中可通过分析p偏振场值分布特点反演缺陷特征值.
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关键词
半空间方法
复合散射
镶嵌缺陷粒子
基片
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职称材料
题名
半空间方法在检测基片镶嵌缺陷粒子中的应用
1
作者
巩蕾
高明
吴振森
机构
西安工业大学光电工程学院
西安电子科技大学理学院
出处
《西安工业大学学报》
CAS
2012年第10期795-799,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(61172031)
陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2012JM8008)
文摘
为了更好地诊断出基片无损检测工作中缺陷粒子姿态的详细信息,使用三波技术给出了半空间问题相应的连接边界条件,利用互易性定理简化近远场外推中的场变换过程,给出了一种有效的计算基片与镶嵌缺陷粒子散射方法.在数值计算中与矩量法(MOM)进行了比较,得到了p偏振和s偏振下镶嵌Cu和SiO2球体缺陷粒子的微分散射截面和电场分布.研究结果表明:介质缺陷的微分散射截面的值小于同条件下金属缺陷粒子的值.在应用中可通过分析p偏振场值分布特点反演缺陷特征值.
关键词
半空间方法
复合散射
镶嵌缺陷粒子
基片
Keywords
half-space method
composite scattering inlaid defect particle
wafer
分类号
TG115.28 [金属学及工艺—物理冶金]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半空间方法在检测基片镶嵌缺陷粒子中的应用
巩蕾
高明
吴振森
《西安工业大学学报》
CAS
2012
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