提高X光激光相干性的镶嵌靶的研究

在以锗等离子体为增益介质的Ｘ光激光实验研究中，使用铜锗镶嵌靶可以获得一维横向宽度很窄的柱状等离子体，这有利于Ｘ光激光的单横模输出。

直流磁控溅射TiNiCu薄膜靶材制备方法研究

通过对直流磁控溅射TiNiCu薄膜的靶材制备方法的研究发现：镶嵌与熔炼两种方法均成功地制备了所设计成分的薄膜,而粉末冶金与在TiNi靶上放置纯Cu片的制备靶材方法虽未能制备出质量良好的薄膜,但本文对其制备靶材方法做了初步的探究,对出现的问题提出了针对性的建议。

直流反应磁控溅射方法制备碳掺杂TiO_2薄膜及其可见光活性

室温下通过直流反应磁控溅射的方法,利用碳钛镶嵌靶在Ar/O_2气氛中制备了碳掺杂纳米TiO_2薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、UV-Vis透射光谱以及光电化学的方法对薄膜进行了表征.XRD测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳掺杂的引入有利于TiO_2薄膜的晶格生长,并随靶中碳面积的增加,薄膜的结晶度也相应提高.由透射光谱计算得到的禁带宽度表明,靶中碳和钛的面积比为0.05时,薄膜的禁带宽度由纯TiO_2薄膜的3.4 eV减小到3.1 eV.光电测试结果表明,靶中碳和钛的面积比小于0.10时,碳的引入可以提高薄膜的光电响应,面积比为0.10时,可见光下0 V时薄膜的光电流密度为0.069μA·cm^(-2);但碳和钛的面积比增加到0.16时,测得的薄膜光电响应异常.

ErAlN/蓝宝石基SAW谐振器制备与性能研究

采用Er镶嵌靶,以射频(RF)反应磁控溅射法,在蓝宝石衬底上制备出了c轴取向的Er 0.11 Al 0.89 N z压电薄膜。运用正交设计实验优化后,Er 0.11 Al 0.89 N z薄膜的膜厚、表面粗糙度分别为1.20μm和1.0 nm,光学介电常数从4.19增大到4.29。Er 0.11 Al 0.89 N z/蓝宝石基声表面波(SAW)谐振器的中心频率和品质因数Q值相较于纯AlN降低,有效机电耦合系数比AlN z/蓝宝石基SAW谐振器提高了20%,达到1.80%。研究结果表明,Er掺杂AlN后晶格常数比值c/a基本保持不变,但晶体中离子键成分的上升使晶体结构软化,从而导致器件频率下降,有效机电耦合系数增加。

B含量对(AlSiTiCrNbVB_(x))N薄膜微观结构与性能影响

为了研究B含量对(AlSiTiCrNbVB_(x))N薄膜微观结构和力学性能的影响,文中采用放电等离子烧结技术制备了B靶,并与AlSiTiCrNbV合金靶材进行镶嵌设计,向真空腔室通入N2进行反应磁控溅射,制备了(AlSiTiCrNbVB_(x))N薄膜,分析了薄膜物相结构、元素含量、形貌、成分以及硬度。试验结果表明:随着B元素含量的增加,薄膜由面心立方结构(FCC)转变为非晶结构;当原子数分数x(B)=18.20%时,硬度达62.32 GPa,其硬度接近人造金刚石。