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SOIMOSFET因辐照引起的部分耗尽与全耗尽过渡区的漂移 被引量：1
1
作者 万新恒 张兴 +2 位作者 黄如 甘学温 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期358-361,共4页
首次报道了辐照所引起的 SOI/ MOS器件 PD (部分耗尽 )与 FD (全耗尽 )过渡区的漂移 .基于含总剂量辐照效应的 SOI MOSFET统一模型 ,模拟了 FD与 PD过渡区随辐照剂量的漂移 .讨论了辐照引起 FD与 PD器件转化的原因 ,进一步分析了 FD与
关键词 SOI MOSFET 辐照特性 过渡区 漂移 长效应晶体管
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