液相法碳化硅单晶生长技术研究进展综述

SiC作为重要的第三代半导体材料,具有热导率高、耐高温、抗辐射等优异的性能,主要应用于智能电网、电动汽车、高速列车、先进雷达等领域,是各个国家优先发展的重要材料。目前,PVT技术在制造大尺寸SiC晶体及降低成本方面正面临严峻挑战,因此,业界开始将目光转向液相法,力图在这一领域取得突破。本文综述了SiC单晶技术研发过程,并对液相法生长SiC晶体中的一些关键因素进行研究。