长波长量子阱LD的实用化研究

长波长量子阱ＬＤ的实用化研究李同宁，刘涛，金锦炎，丁国庆，郭建委，胡常炎，吴桐，李明娟，赵俊英，魏泽民（武汉电信器件公司）近十年来，ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＣＢＥ工艺研究在半导体超薄层材料制备行业中非常活跃。国际上长波长多量子阱激光器件多采用ＭＯＣＶＤ工...

新型材料InGaNAs的生长与应用前景

详细介绍了一种新型半导体材料(InGaNAs)的生长特点及其在制作高特征温度的长波长量子阱激光器、长波长垂直腔面发射激光器、长波长光泵垂直外腔面发射激光器、半导体可饱和吸收镜和长波长谐振腔增强探测器方面的优势。