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快响应门控光电倍增管设计 被引量:1
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作者 陈钰钰 张德 唐登攀 《核电子学与探测技术》 北大核心 2017年第4期422-425,共4页
门响应时间和消光比是门控光电倍增管的两个重要性能参数。介绍了将俄制CHφT5型光电倍增管改制为门控光电倍增管的设计。采用控制光电倍增管第二聚焦极的方法,设计快响应门控制电路,使门控光电倍增管具有3个量级以上的消光比,开门延迟... 门响应时间和消光比是门控光电倍增管的两个重要性能参数。介绍了将俄制CHφT5型光电倍增管改制为门控光电倍增管的设计。采用控制光电倍增管第二聚焦极的方法,设计快响应门控制电路,使门控光电倍增管具有3个量级以上的消光比,开门延迟响应时间为70 ns,光电倍增管恢复输出的时间为20 ns。光电倍增管灵敏度降低了20%。 展开更多
关键词 控光电倍增管 光耦隔离 门响应特性
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