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快响应门控光电倍增管设计
被引量:
1
1
作者
陈钰钰
张德
唐登攀
《核电子学与探测技术》
北大核心
2017年第4期422-425,共4页
门响应时间和消光比是门控光电倍增管的两个重要性能参数。介绍了将俄制CHφT5型光电倍增管改制为门控光电倍增管的设计。采用控制光电倍增管第二聚焦极的方法,设计快响应门控制电路,使门控光电倍增管具有3个量级以上的消光比,开门延迟...
门响应时间和消光比是门控光电倍增管的两个重要性能参数。介绍了将俄制CHφT5型光电倍增管改制为门控光电倍增管的设计。采用控制光电倍增管第二聚焦极的方法,设计快响应门控制电路,使门控光电倍增管具有3个量级以上的消光比,开门延迟响应时间为70 ns,光电倍增管恢复输出的时间为20 ns。光电倍增管灵敏度降低了20%。
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关键词
门
控光电倍增管
光耦隔离
门响应特性
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职称材料
题名
快响应门控光电倍增管设计
被引量:
1
1
作者
陈钰钰
张德
唐登攀
机构
中国工程物理研究院核物理与化学研究所
出处
《核电子学与探测技术》
北大核心
2017年第4期422-425,共4页
文摘
门响应时间和消光比是门控光电倍增管的两个重要性能参数。介绍了将俄制CHφT5型光电倍增管改制为门控光电倍增管的设计。采用控制光电倍增管第二聚焦极的方法,设计快响应门控制电路,使门控光电倍增管具有3个量级以上的消光比,开门延迟响应时间为70 ns,光电倍增管恢复输出的时间为20 ns。光电倍增管灵敏度降低了20%。
关键词
门
控光电倍增管
光耦隔离
门响应特性
Keywords
gated photomuhiplier
opto - isolator
gate response property
分类号
TL816 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
快响应门控光电倍增管设计
陈钰钰
张德
唐登攀
《核电子学与探测技术》
北大核心
2017
1
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