In_2O_3纳米线对NH_3气体响应的优化实验与分析

通过实验对纳米线探测NH3时电导增大这一结论的适用条件进行了补充。研究了传感器响应与纳米线氧空穴掺杂浓度的关系。对比实验结果表明:在检测NH3气体时高掺杂的纳米线电导降低,低掺杂的纳米线电导增大。此外,还观察了纳米传感器暴露在高浓度NH3中产生的"门屏蔽效应",这是由于NH3分子吸附在In2O3纳米线上成为电荷陷阱导致的。