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可控硅关断参数分析及新型可控硅的应用 被引量：5
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作者 江泳 杜峰 +1 位作者 崔光照 胡智宏 《郑州轻工业学院学报（自然科学版）》 CAS 2004年第1期44-45,共2页
对可控硅误触发行为及关断过程的分析表明,du/dt参数固定的条件下,di/dt的临界值越高,电路的可靠性越高.di/dt临界值大大提高的逻辑可控硅、无缓冲器可控硅等新型可控硅不但能提高电路的可靠性,还可以降低成本.
关键词 可控硅 误导通 门极关断电流下降率 门极关断电压变化率 关断参数
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