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逆导型GCT器件结构分析及制造工艺 被引量:5
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作者 雷云 蒋谊 陈芳林 《大功率变流技术》 2009年第6期11-13,30,共4页
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。
关键词 逆导型 IGCT 透明阳极 缓冲层 沟槽隔离 门极硬驱动
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