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逆导型GCT器件结构分析及制造工艺
被引量:
5
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作者
雷云
蒋谊
陈芳林
《大功率变流技术》
2009年第6期11-13,30,共4页
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。
关键词
逆导型
IGCT
透明阳极
缓冲层
沟槽隔离
门极硬驱动
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职称材料
题名
逆导型GCT器件结构分析及制造工艺
被引量:
5
1
作者
雷云
蒋谊
陈芳林
机构
株洲南车时代电气股份有限公司电力电子事业部
出处
《大功率变流技术》
2009年第6期11-13,30,共4页
文摘
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。
关键词
逆导型
IGCT
透明阳极
缓冲层
沟槽隔离
门极硬驱动
Keywords
reverse-conduct
IGCT
transparent anode
buffer layer
slot isolation
gate hard-drive
分类号
TN34 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
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1
逆导型GCT器件结构分析及制造工艺
雷云
蒋谊
陈芳林
《大功率变流技术》
2009
5
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