GTO门极触发电路的设计

ＧＴＯ门极触发电路的设计山东工业大学张庆范（济南２５００１４）山东师范大学裴素华，庄益利（济南２５００１４）ＴｈｅＤｅｓｉｇｎｏｆＧＴＯＧａｔｅＴｒｉｇｇｅｒｉｎｇＣｉｒｃｕｉｔ￥／／１前言该电路是为感应电动机的ＧＴＯ斩波器设计的触发电路。它应用于感...

辅助晶闸管对门极触发开通过程的影响及t_(gt)的计算

本文对采用辅助晶闸管结构的晶闸管器件的门极触发开通过程进行了探讨,推论出了适用于此结构的t_(gt)计算公式。

晶闸管强触发电路设计

为了研究晶闸管在强触发下的导通特性,利用功率MOSFET的快开通特性和通流能力,设计了光纤控制晶闸管强触发电路。该电路中晶闸管门极触发电流峰值范围为0.35～39.6 A,前沿范围为35～540 ns,电流上升率范围为3.4～83.3 A/μs。实验结果表明,该电路参数调节范围宽,触发电流抖动小(小于4 ns),具有较高的稳定性和可靠性。

控制门极参数提高晶闸管成品率的新方法

针对晶闸管生产中门极参数控制存在的问题，提出了改善门极参数的新方法即ｎ￣＋扩散调整法和表面挖槽法。实验结查表明，使用ｎ￣＋扩散调整法后，门极参数的合格率提高了３０％以上，表面挖槽法则将许多废品器件转变成了合格产品。这两种方法的应用，大大提高了成品率，有着显著的经济效益。

电子辐照改善可控硅触发性能的研究

应用电子束射线对单向微触发可控硅晶圆片进行不同条件的辐照,使用晶体管图示仪测试其门极触发电流和通态电压,研究了辐照剂量、剂量率对门极触发电流和通态电压的影响,使用不同的退火工艺对辐照后的可控硅进行退火实验,监测其退火后参数的变化。实验表明,门极触发电流随辐照剂量的增加而迅速增大,辐照剂量在20 k Gy以下时,通态电压基本没有增加;门极触发电流在可控硅约225℃以下退火时,存在反退火现象,继续提高退火温度又表现出正常的退火结果;1.5 Me V电子辐照技术不仅能有效提高可控硅门极触发电流,还能提高晶圆片门极触发电流的一致性。

基于TC787的三相全控桥式整流电路设计

介绍了一种新型的基于TC787的三相全控桥式整流电路系统的设计 .该系统采用TC787代替KJ/KC系列集成触发电路 ,具有设计合理、使用方便灵活 ,且功耗小、可靠性高等特点 。

晶闸管整流桥的应用

晶闸管整流桥或许是先由日本三社公司(sanrex)近来推出的产品。或许由于厂家并没有详细的介绍该类整流桥的使用方法,造成该类型的整流桥在国内应用并不是很普及。文中以三社公司的DFA100BA160为例,介绍了该整流桥的使用方法,给出了实际应用电路。结合实验所得结果,对在实际应用中的注意事项进行了阐述。

OrCAD/PSPICE在电力电子电路计算机辅助设计中的应用(Ⅲ)

第三讲电力电子器件的PSPICE仿真(下)(2)单极型器件所谓单极型器件指的是其工作仅依赖于多数载流子的漂移运动,而其电流是在同一类型的半导体中流动的器件,如各种场效应晶体管。其中由于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)具有输入电阻高,对栅极电压极性没有限制,以及工艺上适于制造大规模集成电路等优点而得到日益广泛的应用。(a)功率MOSFET小功率MOS器件的应用已经有30年的历史了。