基于汉明码及闩锁检测电路的防辐射效应设计

恶劣的空间环境会诱发星上载荷的总剂量效应、单粒子效应、表面充放电效应等问题,导致星上设备在轨发生各种故障。为保证卫星寿命及载荷安全可靠运行,在设计过程中须对载荷进行系统化的防辐射设计。文中针对对航天器载荷影响最大的单粒子效应从电子技术方面给出了汉明码设计和闩锁检测电路设计。经过实践证明,该设计易于实现,能够有效解决单粒子翻转效应和单粒子锁定效应,有效保证星上载荷安全,提高可靠性和使用寿命。

DS18S20Z数字温度传感器在空间探测中的应用研究

比较了热敏电阻和DS18S20Z的温度测量原理。介绍了在暗物质空间探测卫星系统中DS18S20Z数字温度传感器的应用方法。实验测试了DS18S20Z的单粒子闩锁和单粒子翻转特性,设计了防闩锁保护电路。实验选取了防闩锁电路参数并验证了防闩锁电路的有效性,讨论了单粒子翻转数据识别和剔除方法。根据暗物质卫星在轨运行时温度测量的需求,实验测试了400余万次断电对DS18S20Z性能的影响。实验结果表明防闩锁电路和翻转数据识别剔除方法有效可行;断电损伤测试结果表明多次断电不会影响DS1gS20Z性能。

可控硅整流器及其测试技术

可控硅整流器是一种利用内部反馈来实现开关作用的半导体器件,可以实现对大电流的开关控制,广泛应用在在广播电视无线发射台站的许多设备中,掌握这一器件的基本原理及其测试技术对于提高广播电视工程技术人员的维护水平具有重要意义。

Study of latch-up immunization in bulk CMOS integrated circuits exposed to transient ionizing radiation

This paper presents experimental results of transient gamma irradiation effects on two kinds of circuits.One is a two-stage circuit consisting of a bipolar power device L7805CV and a bulk complementary metal-oxide-semiconductor(CMOS) device IDT6116,the other is a two-stage circuit consisting of a bipolar power device L7805CV and the equivalent circuit of the parasitic P-N-P-N structure in bulk CMOS devices.The results show that the L7805CV's output interruption after transient irradiation can prevent latch-up from occurring on the second stage circuit.The demanded minimum interruption duration to avoid latch-up varies with dose rate,and this is confirmed by the experimental results.