闪存芯片数据恢复和案例分析

芯片类存储设备有读写速度快、稳定性高的优点。随着技术的发展,各类芯片存储设备被广泛应用。芯片类存储设备也会因为主控芯片损坏,或设备电流电压变化对电路或存储芯片干扰导致损坏。电子数据鉴定案件中也常常涉及芯片存储设备的数据恢复。文章介绍了芯片类存储设备的数据存储原理和数据恢复的思路,并对实际应用案例进行了分析。

闪存芯片KM29N32000TS在单片机系统中的应用

介绍32M位闪存芯片(Flash Memory)KM29N32000TS,并以87C552单片机为例介绍它在单片机系统中的硬件连接和软件编制方法。该芯片与单片机的硬件连接电路简单,可扩容能力强,易于编程,且体积小、容量大,具有很高的实用价值。

英特尔首个65纳米NOR闪存芯片面世

英特尔公司近日成为第一家供应NOR多级单元闪存芯片公司，英特尔提供的这种芯片密度为1G，是基于65纳米处理技术的产品。NOR多级单元闪存芯片用于手机等设备上的关键操作及个人信息数据的管理，并可以存储照片，音乐和影片。

闪存芯片数据恢复研究与实现

探讨一种芯片级别的数据恢复方法,针对物理损坏的U盘,能够直接从存储芯片中提取数据,通过数据重组算法还原出文件系统。实验表明,此方法可以有效还原出U盘原有数据。

闪存芯片低温测试中的制冷技术

分析表明,闪存芯片测试的两个阶段晶圆测试和终端测试,都需要进行低温测试。低温制冷技术在两个测试阶段都得到了很大的应用。探讨在晶圆低温测试与终端低温测试过程中,两种不同制冷技术的应用。

恒忆(NUMONYX)取得重大设计突破 推出业内首款45nm NOR闪存芯片

北京，2009年2月12日讯——恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45nm工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布还使恒忆能够大幅度提高存储产品的性能。新产品遥遥领先上一代65nm产品，是当前市场上最先进的NOR闪存。恒忆NOR闪存芯片广泛用于运行关键的手机操作系统、管理个人数据、存储相片、音乐和视频。

4月上半月NAND闪存芯片价格创7个月来新高

据国外媒体报道，据台湾集邦科技（dramexchange technology inc）发表的行业数据显示，NAND闪存芯片价格在4月份的上半个月创7个月的颢高，反应了在上个月日本发生严重的地震中断了供应链之后其它存储芯片价格的情况。

液晶面板闪存芯片挑大梁，三星利润激增

三星日前发布了2005年4季度利润增长40％的季报，这也是其业绩5个季度以来的首次增长。拉动三星业绩增长的主要是液晶面板和闪存芯片的强劲需求。尽管预计2006年的增长将相当强劲——尤其是手机业务。但其液晶面板和DRAM业务的前景不容乐观。

内存闪存芯片价格上涨 趋势将持续到9月末

有消息称，DDR、DDR2、SDRAM内存芯片和NAND闪存芯片的合同价格在7月份开始反弹。256 MB DDR-400内存芯片的合同价格7月份上涨了2．3％，目前价格为22美元。而512MB DDR-400／333／266内存芯片的合同价格则上涨了3．3％，目前价格为44美元。

亲自动手,给MP3做扩充内置闪存芯片“手术”

MP3最突出的特点是内置闪存、体积小巧、便于携带。但是,体积小巧也有缺点,那就是容量跟不上需求,不能随时扩容。目前 MP3的容量主流已达到512MB,甚至1GB,更有的支持外接存储卡,可是许多朋友手中仍旧拿着128MB 或256MB 的MP3,而这些 MP3根本不支持外接存储卡,难道低容量的 MP3真的该淘汰了吗?不!只要我们对 MP3的结构有所了解,并且具备较强的动手能力,就可以亲自动手进行低容量 MP3扩容。

Micron量产34nm NAND闪存芯片

Micron Technology近日宣布采用34nm工艺技术的NAND闪存芯片实现量产。Micron还称其子公司Lexar Media将推出34nm闪存卡和USB闪盘。Micron和其伙伴Intel近期宣布通过合资公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在为2xnm技术做准备，计划于第四季度推出样品。

MP3换闪存芯片的维修

笔者以前买了一部很简单但功能实用的MP3，能录音能当U盘，还能插SM CARD扩展。可好日子不长，不知是摔了N回，还是经常把它和手机放在一起，或是因为闪存太小（32M）所以经常更新歌曲。有一天一首歌听完后就死机了，拆下电池在装上再次开机还是死机。回家后接在电脑上将闪存重新格式化了一次，结果总是提示格式化失败。再次打开MP3机这次根本就找不到闪存。看来自带的闪存真的坏了。

三星宣布投产40纳米8Gb融合闪存芯片

三星电子宣布，采用40nm工艺的Flex—OneNAND融合式闪存芯片已经投产，容量也达到了8Gb。Flex—OneNAND是三星在2007年研发成功的一种新型闪存技术，将单层SLCNAND和多层MLCNAND整合在了一块硅片上。