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题名污秽绝缘子在不同脉冲电压条件下的闪络特性研究
被引量:5
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作者
彭波
汤美云
周卫华
黄福勇
王成
王峰
齐飞
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机构
湖南省电力公司科学研究院
湖南省电力公司
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出处
《高压电器》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期51-55,62,共6页
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文摘
输电线路在污秽条件下的闪络(污闪)是威胁电力系统安全运行的主要事故。笔者以两片串的绝缘子短串为研究对象,通过对绝缘子两端施加0.5/5μs和2.6/50μs的冲击电压波形,研究了盐密、灰密污秽度对绝缘子闪络特性的影响,同时对波头时间不变,波尾时间对绝缘子闪络特性的影响进行了研究。结果表明,盐密对绝缘子闪络电压的影响大于灰密;当盐密、灰密值较低时,冲击电压波形对绝缘子串闪络电压影响不大;灰密值固定时,绝缘子闪络电压随着盐密值的增加而减小;而当盐密值固定时,绝缘子闪络电压随着灰密值的增加呈现先减小后增加的趋势;固定灰盐比为5:1时,在2.6/50μs波形条件下,绝缘子闪络电压随着盐密值增加而增加,而对于0.5/5μs波形时,随着盐密值增加,绝缘子闪络电压呈现先减小后增加的趋势;随着波尾时间增加,绝缘子闪络电压下降明显,在盐密值较大时更加显著。
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关键词
污秽绝缘子
非标脉冲电压波形
盐密
灰密
闪络电压
闪络时间
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Keywords
polluted insulator
non-standard impulse voltage waveforms
equivalent salt deposit density(ESDD)
non-soluble deposit density(NSDD)
flashover voltage
flashover time
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分类号
TM216
[一般工业技术—材料科学与工程]
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