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SiC短程结构的分子动力学模拟
被引量:
3
1
作者
周正有
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2001年第1期63-68,共6页
采用Tersoff势函数对晶体、液态、非昌SiC结构进行了分子动力学模拟。模拟的结果表明 :由于C成键的影响使非晶SiC的结构偏离正四面体构型。在晶体中SiC保持长程排列的闪锌矿型结构。液态SiC的模拟得到Si的配位数为 5 64,C的配位数为 3 6...
采用Tersoff势函数对晶体、液态、非昌SiC结构进行了分子动力学模拟。模拟的结果表明 :由于C成键的影响使非晶SiC的结构偏离正四面体构型。在晶体中SiC保持长程排列的闪锌矿型结构。液态SiC的模拟得到Si的配位数为 5 64,C的配位数为 3 67,C -C的键角分布在~66°和~ 12 0°有两个峰值 ,表明有相当一部分C是三次配位 ,形成石墨型结构。非晶SiC的结构基本保持了液态SiC的构型 ,但Si和C的配位数下降 ,Si的配位数为 4 2 4 。
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关键词
分子动力学模拟
短程度
径向分布函数
碳化硅
Tersoff势函数
陶瓷材料
配位数
闪锌矿型结构
下载PDF
职称材料
题名
SiC短程结构的分子动力学模拟
被引量:
3
1
作者
周正有
机构
南昌大学材料科学系
出处
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2001年第1期63-68,共6页
文摘
采用Tersoff势函数对晶体、液态、非昌SiC结构进行了分子动力学模拟。模拟的结果表明 :由于C成键的影响使非晶SiC的结构偏离正四面体构型。在晶体中SiC保持长程排列的闪锌矿型结构。液态SiC的模拟得到Si的配位数为 5 64,C的配位数为 3 67,C -C的键角分布在~66°和~ 12 0°有两个峰值 ,表明有相当一部分C是三次配位 ,形成石墨型结构。非晶SiC的结构基本保持了液态SiC的构型 ,但Si和C的配位数下降 ,Si的配位数为 4 2 4 。
关键词
分子动力学模拟
短程度
径向分布函数
碳化硅
Tersoff势函数
陶瓷材料
配位数
闪锌矿型结构
Keywords
molecular dynamics simulation
short-range structure
radial distribution function
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
O731 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC短程结构的分子动力学模拟
周正有
《南昌大学学报(理科版)》
CAS
北大核心
2001
3
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职称材料
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