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SiC短程结构的分子动力学模拟 被引量:3
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作者 周正有 《南昌大学学报(理科版)》 CAS 北大核心 2001年第1期63-68,共6页
采用Tersoff势函数对晶体、液态、非昌SiC结构进行了分子动力学模拟。模拟的结果表明 :由于C成键的影响使非晶SiC的结构偏离正四面体构型。在晶体中SiC保持长程排列的闪锌矿型结构。液态SiC的模拟得到Si的配位数为 5 64,C的配位数为 3 6... 采用Tersoff势函数对晶体、液态、非昌SiC结构进行了分子动力学模拟。模拟的结果表明 :由于C成键的影响使非晶SiC的结构偏离正四面体构型。在晶体中SiC保持长程排列的闪锌矿型结构。液态SiC的模拟得到Si的配位数为 5 64,C的配位数为 3 67,C -C的键角分布在~66°和~ 12 0°有两个峰值 ,表明有相当一部分C是三次配位 ,形成石墨型结构。非晶SiC的结构基本保持了液态SiC的构型 ,但Si和C的配位数下降 ,Si的配位数为 4 2 4 。 展开更多
关键词 分子动力学模拟 短程度 径向分布函数 碳化硅 Tersoff势函数 陶瓷材料 配位数 闪锌矿型结构
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