CMOS集成电路的闭锁特性和闭锁窗口分析

由于布局结构的复杂性,CMOS集成电路可能存在多个潜在的寄生闭锁路径。各个闭锁路径因触发剂量率和闭锁维持电压、闭锁维持电流不同而相互影响,可能产生一个或多个闭锁窗口。在详细分析CMOS集成电路闭锁特性的基础上,建立了"三径"闭锁模型,对闭锁窗口现象进行了合理解释。

“三径”闭锁窗口模型的实验研究

在解释CMOS器件辐射感应的闭锁窗口现象时,提出了所谓的“三径”闭锁窗口模型。在分析CMOS器件闭锁电路模型的基础上,简要介绍了“三径”闭锁窗口模型的有关情况。为了实验验证该模型,设计了实验电路以模拟CMOS器件的寄生闭锁路径,给出了相应的参数。“强光I”瞬时伽马辐照实验显示,实验电路像预计的那样出现了闭锁窗口。这说明,用“三径”模型解释某些闭锁窗口现象是合理的。

对辐射感应闭锁窗口现象的解释

中、大规模CMOS器件受到瞬态辐射时,出现了闭锁单窗口、多窗口现象。为了获得闭锁窗口的出现原因,借助对窗口现象的有关参考文献的研究,利用计算机电路模拟软件,分析了CMOS器件多个闭锁路径之间的相互作用。在此基础上,提出了解释窗口现象的"三径"闭锁模型。应指出的是,该闭锁模型还需要试验上的进一步验证与支持。