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TF SOI NLIGBT漂移区表面堆积状态小注入间接寿命模型及模拟
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作者 张海鹏 李浩 +1 位作者 刘国华 牛小燕 《电子与封装》 2011年第2期26-29,共4页
为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究基础上,考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响而建立了堆积... 为探讨表面复合对TF SOI nLIGBT开关特性的影响,在Si-SiO2界面态连续分布多项式插值近似的平带条件下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型及模拟研究基础上,考虑表面堆积状态下能带向下弯曲对界面态分布的影响而建立了堆积状态下TF SOI nLIGBT漂移区表面小注入间接复合寿命模型,然后采用基于MATLAB平台的循环嵌套矩阵算法进行模拟。 展开更多
关键词 TFSOInLIGBT 漂移区表面 堆积状态 间接寿命 模型及模拟
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