硅的间接跃迁双光子吸收系数谱

利用皮秒Nd:YAG脉冲激光器作为激发光源,测量出光子能量介于1.36μm(0.912eV)—1.80μm(0.689eV)之间的硅间接跃迁双光子吸收系数谱.尽管此波段范围内的激光光子能量小于硅间接带隙,但当激光辐照在硅基光电二极管受光面时,在二极管两电极端仍然探测到了显著的脉冲光伏信号.光伏信号峰值强度与入射光强呈二次幂函数关系,表明其是双光子吸收过程.采用pn结等效结电容充放电模型,将光伏响应信号峰值与入射光强相关联,从中提取出硅的间接跃迁双光子吸收系数,改变入射波长得到系数谱.研究表明:当入射光子能量从0.689eV增加至0.912eV,硅的双光子吸收系数从0.42cm/GW逐渐增大到1.17cm/GW.双光子吸收系数随入射光子能量增加而增大的机理归结为从价带激发的电子占据了更多的导带量子态.利用现有的Dinu理论模型解释了双光子吸收系数谱的这种频率特性。

引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性

在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加,SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移;PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。

纳米微晶SnO_2薄膜的制备和光学性能的研究

以无机盐为原料制备得到纳米微晶ＳｎＯ２薄膜。由透射比曲线计算发现，随热处理温度的升高，薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明，掺Ｔｉ的ＳｎＯ２薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁，随晶粒尺寸的减小，间接带宽增大。

四方晶系SBN晶体吸收边与Ep、Eg的研究

本文通过实验测量了Ｓｒ０．６３Ｂａ０．３７Ｎｂ２Ｏ６晶体吸收边光谱；由透射率曲线计算了吸收系数；并通过对α１／２—ｈν曲线特征的研究，肯定了３．５ｅＶ以下吸收边的间接跃迁性质；确定了声子的能量Ｅｐ与禁带宽度Ｅｇ。

Sr_(1-x)Ba_xNb_2O_6基本吸收边的研究

通过实验测量Sr_(0.57)Ba_(0.43)Nb_2O_6基本吸收边的位置;由透射曲线计算吸收系数;通过对a^2—hv曲线特征的研究,肯定了3.5eV以下吸收边的间接跃迁性质;确定了声子的能量E_p与禁带宽度E_g的值。

金属掺杂对In2O3薄膜光学性质的影响

研究了射频溅射法制备的金属／半导体类型颗粒膜的光学特性。通过样品透射谱分析，发现金属Fe的掺杂使半导体In2O3的带间跌迁由直接跃迁变为间接跃迁；随Fe所占体积份数的增加，局域态尾变宽，带隙变窄。这是由于掺入Fe颗粒后。母体材料与金属颗粒的界面处表面态增多，以及母体材料的非晶化引起的。

金属掺杂对半导体薄膜光学性质的影响

研究了射频溅射法制备的半导体膜的光学特性。通过样品透射谱分析,发现在半 导体In2O3材料中掺入金属Fe颗粒的薄膜中,电子的带间跃迁由In2O3的直接跃迁变为间接 跃迁;随Fe所占体积份数的增加,局域态尾变宽,带隙变窄。这是由于掺入Fe颗粒后,母体材 料与金属颗粒的界面处表面态增多,以及母体材料的非晶化引起的。

弛豫型铁电晶体0.92PZN-0.08PT的光吸收特性

本文研究了 0 .92 PZN- 0 .0 8PT晶体的紫外 -可见 -近红外透过光谱 ,确定了它的吸收边波长为 380 nm,计算出该晶体在此波段的吸收系数 ,拟出了吸收系数与光子能量的关系曲线 ;

Fe/In_2O_3磁性颗粒膜的光学特性

研究了射频溅射法制备的磁性颗粒膜的光学特性．发现在In2O3母体材料中嵌入Fe颗粒的磁性颗粒膜中，电子的带间跃迁由In2O3的直接跃迂变为间接跃迁，基本吸收边变平；随磁性粒子所占体积分数的增加，局域态尾变宽，带隙变窄．这是由于嵌入Fe颗粒后，母体材料与磁性颗粒的界面处表面积增加，具有了较多的表面态，以及母体材料的非晶化引起的。