间歇溅射和分段冷却对ZnO薄膜结构的影响

用超高真空射频磁控溅射技术制备了高c轴取向的ZnO薄膜，并用XRD和SEM研究了溅射和冷却方式对ZnO薄膜结构性能和工艺性能的影响。结果表明：与连续溅射相比，间歇溅射可以降低ZnO（002）的晶面间距，晶粒长大致密化，随着间歇时间的延长，薄膜的自优化程度增加；与连续冷却相比，分段冷却对ZnO薄膜的质量影响不大，但可将薄膜的冷却时间，从2．5—3h缩短至1．5h左右，从而提高了薄膜的制备速率。

循环间歇溅射工艺对PLT薄膜性能的影响

采用射频磁控溅射技术利用循环间歇溅射工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了镧钛酸铅(PLT)薄膜。通过原子力显微镜、X-射线衍射仪分析了循环间歇溅射工艺对薄膜形貌、结构和铁电性能的影响。实验结果表明,相比于连续溅射工艺,循环间歇溅射工艺的基片温度较低,且制得的PLT薄膜晶粒细小、均匀,结构致密。薄膜具有纯钙钛矿型结构,循环次数从1次增加到3次,其(100)和(200)峰衍射强度逐渐增强,结晶性提高,铁电性能逐渐增强,其饱和极化强度由28μC/cm2增大到53μC/cm2,剩余极化强度由5μC/cm2增大到12μC/cm2。循环4次溅射后,薄膜的结晶性和铁电性开始下降。