Y2000-62562-182 0103555铜工艺(含5篇论文)=Cu process[会,英]//Proceed-ings of the IEEE 2000 International Interconnect Tech-nology Conference.—182~196(ZC)本部分有关铜工艺的5篇文章讨论了采用 DC 和脉冲反向工艺的电化学淀...Y2000-62562-182 0103555铜工艺(含5篇论文)=Cu process[会,英]//Proceed-ings of the IEEE 2000 International Interconnect Tech-nology Conference.—182~196(ZC)本部分有关铜工艺的5篇文章讨论了采用 DC 和脉冲反向工艺的电化学淀积 Cu 膜的间隙填充后的薄膜特性与表面剖面,化学汽相淀积铜薄膜淀积,室温电镀铜的显微结构,铜金属化用反应溅射 TaNx 层的扩散阻挡层的评价,以及先进铜互连应用的电镀后现场快速退火工艺。展开更多
文摘Y2000-62562-182 0103555铜工艺(含5篇论文)=Cu process[会,英]//Proceed-ings of the IEEE 2000 International Interconnect Tech-nology Conference.—182~196(ZC)本部分有关铜工艺的5篇文章讨论了采用 DC 和脉冲反向工艺的电化学淀积 Cu 膜的间隙填充后的薄膜特性与表面剖面,化学汽相淀积铜薄膜淀积,室温电镀铜的显微结构,铜金属化用反应溅射 TaNx 层的扩散阻挡层的评价,以及先进铜互连应用的电镀后现场快速退火工艺。